cpp正常值icp-oes principleInductively Coupled Plasmaicp計算icp測量腦灌注壓正常值iicp醫學icp正常值cpp醫學cerebral perfusion pressure中文icp cpp正常値cpp計算一篇文章读懂等离子体刻蚀- NAURA创新- 技术创新 - 北方华创
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Menu 技术创新 Innovation 首页>技术创新>NAURA创新>正文 技术创新 Innovation NAURA创新 科技知乎 NAURA创新 一篇文章读懂等离子体刻蚀 发布时间：2017-06-15 1.Plasma：广泛应用而又复杂的物理过程 等离子体刻蚀在集成电路制造中已有40余年的发展历程，自70年代引入用于去胶，80年代成为集成电
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大部分廠家使用RIE，這個就是比較通用的chamber。上部電極 ... 到了90年代，三國鼎立，出現AMAT ICP， Lam TCP ， TEL CCP的強勢武功。本來大家都是從九 ...
- 2國立交通大學機械工程研究所碩士論文 - 國立交通大學機構典藏
耦合式電漿源（Transformer Coupled Plasma，TCP ）比較兩著的優. 劣與特性﹔ ... Plasma，CCP）陸續被發表出來，1980 年代晚期至1990 年代初期，....
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因此，ICP 又稱為變壓器偶合式電漿(Transformer ... 在ICP 之射頻電場中，電子加熱的機制包括歐姆 ... 由於電極使用壽命比較短，而且有幾何安排的限制，.
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电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件，射频ICP源的发射天线绕在电绝缘的石英放电 ...
- 5一篇文章读懂等离子体刻蚀- NAURA创新- 技术创新 - 北方华创
刻蚀采用的等离子体源常见的有容性耦合等离子体(CCP-capacitively coupled plasma)、感应耦合等离子体ICP(Inductively coupled plasma)和 ...
