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相變化記憶體（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CR...

Data Storage & 1D Nano-Materials Lab. 操作電流過高. 可積極度高、低消耗功率、存取. 速度快. 相變化記憶體. PCRAM. 優點. 缺點. 快閃記憶體.

相變化記憶體名稱有很多種，包括PCM(Phase Change Memory)、PRAM(Phase-change RAM)等，全球的相變化記憶體分為3大陣營，包括恆 ...

相變存儲器(Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的 ... 寬度和高度的電壓或電流脈衝信號，使相變材料發生物理相態的變化，即 ... 全球快閃記...

演講中談到了8種記憶體(5種傳統+3種新型)，並介紹傳統記憶體的製程和封裝技術發展，以及新型感測器的原理和優缺點。 ... 相變化隨機存取記憶體(PRAM)、磁阻式隨存取記憶體(MRAM)和可變...