3納米制程- 维基百科,自由的百科全书
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3奈米製程是半導體製造製程的一個水準。
2017年9月29日,台積電宣布未來3奈米(nm)製程晶圓廠,落腳台灣台南市的南部科學工業園區,預計最快2022年量產。
3奈米製程
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半導體器件製造
金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm –1971
006 µm –1974
003 µm –1977
1.5 µm –1981
001 µm –1984
800 nm –1987
600 nm –1990
350 nm –1993
250 nm –1996
180 nm –1999
130 nm –2001
090 nm –2003
065 nm –2005
045 nm –2007
032 nm –2009
022 nm –2012
014 nm –2014
010 nm –2016
007 nm –2018
005 nm –2020
未來
003 nm ~2022
002 nm ~2024
電晶體數量
互補式金屬氧化物半導體
半導體器件(多閘極電晶體)
莫耳定律
電晶體數量
半導體
半導體產業
納電子學
閱論編
3奈米製程是半導體製造製程的一個水準。
2017年9月29日,台積電宣布未來3奈米(nm)製程晶圓廠,落腳台灣台南市的南部科學工業園區,預計最快2022年量產[1]。
台積電於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產,並在2022下半年正式量產,其3奈米製程將繼續採用FinFET(鰭式場效電晶體)[2]。
2019年5月,三星表示其3奈米產品預計於2021年推出[3]。
此後由於受到嚴重特殊傳染性肺炎疫情影響,三星的3奈米製程推出時程被延後到了2022年[4]。
Intel在2019年洩漏的路線圖顯示,其3奈米製程預計在2025年推出[5]。
未來發展[編輯]
國際裝置與系統發展路線圖(IRDS)2017預計3奈米製程將在2024年量產,後繼者是2.1奈米(2027)、1.5奈米(2030)和1奈米(2033)。
[6]
台積電和Intel皆規劃以2奈米作為接續3奈米的製程,台積電預計2024年量產,[7]Intel預計於2027年推出。
[5]
參考資料[編輯]
^3奈米製程,可能是終極技術.[2019-02-09].(原始內容存檔於2019-12-03).
^Atkinson.台積電3奈米製程電晶體數約2.5億個,2022下半年量產.科技新報.TechNews.2020-04-20[2020-05-16].(原始內容存檔於2020-10-04)(中文(臺灣)).
^Vanessa.INTEL10nm還沒量產SAMSUNG3nm就要來了.XFastestNews.[2019-07-11].(原始內容存檔於2019-07-11)(中文(臺灣)).
^凌郁涵.三星3奈米明年量產告吹?疫情衝擊恐再延一年.鉅亨網.2020-04-07[2020-05-16].(原始內容存檔於2020-09-27)(中文(臺灣)).
^5.05.1處理器-Intel新線路圖兩年升級一次製程,2029年迎來1.4nm.滄者極限.[2019-12-12].(原始內容存檔於2019-12-12)(中文(臺灣)).
^IRDSinternationalroadmapfordevicesandsystems2017edition(PDF).(原始內容(PDF)存檔於2018-10-25).
^全球第一家!台積電官方宣布2nm製程:2024年投產.XFastest最夯的電腦領域.[2019-12-12].(原始內容存檔於2019-12-12).
先前5奈米製程
半導體器件製造製程
其後2奈米製程
取自「https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=3納米制程&oldid=69825599」
分類:半導體器件製造
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