何謂Self Bias: Vdc?＠宸韓科技-從事半導體、光電產業及太陽能 ...

電漿電位的正領域裡，電子流動，在負領域裡，正離子流動；但是，當周波數提高時（1~2MHz以上），出現進入電極的離子與電子的個數差，産生偏壓。

下圖¬，存在許多電子， ... PChome| 登入 PChome會員獨享優惠PChome會員獨享溫泉房型優惠 宸韓科技-從事半導體、光電產業及太陽能之產品維修開發與技術服務等業務 大家好！如果想要認識宸韓科技，就要常常來逛部落格唷！(也可以前往www.castro-tech.com.tw) 0愛的鼓勵 0訂閱站台 首頁 相簿 活動 只要1元!泰國熱銷商品直送你家贊助 2009-11-2711:17:03|人氣8,874|回應0 |上一篇 |下一篇 推薦 0 收藏 0 轉貼0 訂閱站台 何謂SelfBias:Vdc? 所謂Self Bias是指在RF印加部發生之DC成分電壓。

•為達成非等向性蝕刻，必須使粒子的能量具方向性。

此非等向性的蝕刻由電極上方的離子界面層電場得來。

RIE即利用Self Bias使荷電粒子的能量具方向性。

•在電極上打入RF電源時，荷電粒子（離子）與電子被交互吸引到電極處。

電漿電位的正領域裡，電子流動，在負領域裡，正離子流動；但是，當周波數提高時（1~2MHz以上），出現進入電極的離子與電子的個數差，産生偏壓。

下圖¬，存在許多電子，將成為Vdc成分。

（電漿中的正離子與電子的移動度比較時，電子移動度遠大於電漿中的正離子，或接觸電漿的Anode面積大於Cathode面積時，RF電極將偏向負。

）•電漿中的電子向外擴散造成正電荷稍微過剩之故，電漿電位稍大於Anode呈正電位。

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