拓荆科技IPO专题-中国上市公司网
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拓荆科技股份有限公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。
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热搜TAGS:中科海讯,过会新时空,更新冠城大通指南针,路演锐新昌,铝合金上市银行筑博设计,路演侨银环保,中签率
公司简介
拓荆科技股份有限公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。
拓荆科技于4月20日在上交所科创板上市
中国上市公司网讯4月19日,拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”或公司)披露了首次公开发行股票上市公告书,公司将于2022年4月20日在上交所科创板上市,股票简称为“拓荆科技”,股票代码为&[详细]
拓荆科技中签号码共有16,269个
中国上市公司网讯4月12日,拓荆科技股份有限公司首次公开发行股票(以下简称“拓荆科技”)发布了网上中签结果公告,中签号码共有16,269个。
拓荆科技中签结果如下:末尾位数中签号码末“4”位数3[详细]
最新消息
拓荆科技于4月20日在上交所科创板上市
拓荆科技中签号码共有16,269个
拓荆科技中签率为0.04355663%
拓荆科技今日申购 发行价格为71.88元/股
拓荆科技4月7日网上路演
拓荆科技IPO发行安排
拓荆科技今起招股 4月8日申购
拓荆科技IPO注册获同意 将于上交所科创板上
IPO重要信息
股票代码
688072
股票简称
拓荆科技
上市板块
上交所科创板
发行价格(元/股)
71.88
发行市盈率
-
网上发行股数(股)
8,134,500
网下配售数量(股)
19,455,732
总发行数量(股)
31,619,800
网上发行中签率(%)
0.04355663
募集资金总额(亿元)
22.73
保荐人(主承销商)
招商证券
预先披露日期
2021-07-12
上市委会议通过日期
2021-10-29
提交注册日期
2021-11-05
同意注册日期
2022-03-01
刊登发行公告日期
2022-03-29
网上路演日期
2022-04-07
网上发行日期
2022-04-08
中签号公布日期
2022-04-12
上市日期
2022-04-20
拓荆科技基本资料及发行相关资料
公司名称
拓荆科技股份有限公司
英文名称
PiotechInc.
成立日期
2010年04月28日(股份公司设立2021年1月12日)
注册资本(人民币万元)
9,485.8997
法人代表
吕光泉
证监会行业分类
C35 专用设备制造业
雇员总数(人)
429(截至2021年9月30日)
总经理
田晓明
董事会秘书
赵曦
证券事务代表
注册地址
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
办公地址
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
邮编
110168
电话
024-24188000
传真
024-24188000-8080
公司网址
http://www.sypiotech.cn
电子邮件
[email protected]
保荐代表人
刘宪广、张贺
会计师事务所
天健会计师事务所(特殊普通合伙)
经办会计师
陈焱鑫、徐银
律师事务所
北京市中伦律师事务所
经办律师
都伟、刘佳、姚腾越
资产评估机构
北京中企华资产评估有限责任公司
经办评估人员
王晨煜、王少岩
发行费用概算(万元)
其中信息披露费用(万元)
拓荆科技简介及募资项目
公司简介
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
主营业务
从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
筹集资金将用于的项目
序号
项目
投资金额(万元)
1
高端半导体设备扩产项目
7,986.46
2
先进半导体设备的技术研发与改进项目
39,948.34
3
ALD设备研发与产业化项目
27,094.85
4
补充流动资金
25,000.00
投资金额总计
100,029.65
拓荆科技前十大股东(发行前)
序号
股东名称
持股数量(万股)
占总股本比例(%)
1
国家集成电路基金
2,512.1755
26.4833
2
国投上海
1,729.7297
18.2347
3
拓荆科技IPO专题-中国上市公司网
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图片
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公司简介
拓荆科技股份有限公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列。
拓荆科技于4月20日在上交所科创板上市
中国上市公司网讯4月19日,拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”或公司)披露了首次公开发行股票上市公告书,公司将于2022年4月20日在上交所科创板上市,股票简称为“拓荆科技”,股票代码为&[详细]
拓荆科技中签号码共有16,269个
中国上市公司网讯4月12日,拓荆科技股份有限公司首次公开发行股票(以下简称“拓荆科技”)发布了网上中签结果公告,中签号码共有16,269个。
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拓荆科技IPO发行安排
拓荆科技今起招股 4月8日申购
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IPO重要信息
股票代码
688072
股票简称
拓荆科技
上市板块
上交所科创板
发行价格(元/股)
71.88
发行市盈率
-
网上发行股数(股)
8,134,500
网下配售数量(股)
19,455,732
总发行数量(股)
31,619,800
网上发行中签率(%)
0.04355663
募集资金总额(亿元)
22.73
保荐人(主承销商)
招商证券
预先披露日期
2021-07-12
上市委会议通过日期
2021-10-29
提交注册日期
2021-11-05
同意注册日期
2022-03-01
刊登发行公告日期
2022-03-29
网上路演日期
2022-04-07
网上发行日期
2022-04-08
中签号公布日期
2022-04-12
上市日期
2022-04-20
拓荆科技基本资料及发行相关资料
公司名称
拓荆科技股份有限公司
英文名称
PiotechInc.
成立日期
2010年04月28日(股份公司设立2021年1月12日)
注册资本(人民币万元)
9,485.8997
法人代表
吕光泉
证监会行业分类
C35 专用设备制造业
雇员总数(人)
429(截至2021年9月30日)
总经理
田晓明
董事会秘书
赵曦
证券事务代表
注册地址
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
办公地址
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
邮编
110168
电话
024-24188000
传真
024-24188000-8080
公司网址
http://www.sypiotech.cn
电子邮件
[email protected]
保荐代表人
刘宪广、张贺
会计师事务所
天健会计师事务所(特殊普通合伙)
经办会计师
陈焱鑫、徐银
律师事务所
北京市中伦律师事务所
经办律师
都伟、刘佳、姚腾越
资产评估机构
北京中企华资产评估有限责任公司
经办评估人员
王晨煜、王少岩
发行费用概算(万元)
其中信息披露费用(万元)
拓荆科技简介及募资项目
公司简介
拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大核心设备。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。
主营业务
从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
筹集资金将用于的项目
序号
项目
投资金额(万元)
1
高端半导体设备扩产项目
7,986.46
2
先进半导体设备的技术研发与改进项目
39,948.34
3
ALD设备研发与产业化项目
27,094.85
4
补充流动资金
25,000.00
投资金额总计
100,029.65
拓荆科技前十大股东(发行前)
序号
股东名称
持股数量(万股)
占总股本比例(%)
1
国家集成电路基金
2,512.1755
26.4833
2
国投上海
1,729.7297
18.2347
3
中微公司
1,062.2547
11.1982
4
嘉兴君励
701.2105
7.3921
5
润扬嘉禾
623.3158
6.5710
6
中科仪
300.0000
3.1626
7
沈阳创投
297.0297
3.1313
8
苏州聚源
180.0180
1.8977
9
中车国华
162.1622
1.7095
10
宿迁浑璞
150.0000
1.5813
合计
81.3617
行业内其他主要企业
序号
公司名称
简要介绍
1
应用材料(AMAT)
公司成立于1967年,系美国纳斯达克证券交易所上市公司(股票代码:AMAT),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,主要产品包括原子层沉积设备、化学薄膜沉积设备、电化学沉积设备、物理薄膜沉积设备、刻蚀设备、快速热处理设备、离子注入机、化学机械抛光设备等。
2
泛林半导体(Lam)
公司成立于1980年,系美国纳斯达克证券交易所上市公司(股票代码:LRCX),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,主要产品包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、晶圆清洗设备、光致抗蚀设备等。
3
东京电子(TEL)
公司成立于1963年,系东京证券交易所上市公司(股票代码:8035.TYO),主要从事半导体设备的研发、生产和销售,其主要产品包括显像设备、热处理成膜设备、干法刻蚀设备、湿法清洗设备及测试设备及平板液晶显示设备等。
4
先晶半导体(ASMI)
公司成立于1968年,是一家荷兰晶圆制造半导体工艺设备的供应商,阿姆斯特丹泛欧交易所上市公司(股票代码:ASM)。
公司产品涵盖了晶圆加工技术的重要方面,包括光刻、沉积、离子注入和单晶圆外延。
拓荆科技前五大客户(2021年1-9月)
序号
客户名称
1
中芯国际
2
北京屹唐科技有限公司
3
长江存储科技有限责任公司
4
华虹集团
5
睿力集成电路有限公司
拓荆科技前五大供应商(2021年1-9月)
序号
供应商名称
1
万机仪器
2
超科林微电子设备(上海)有限公司
3
苏州冠韵威电子技术有限公司
4
RorzeCorporation
5
BrooksAutomation,Inc.
拓荆科技主要财务指标
财务指标/时间
2021年9月
2020年12月
2019年12月
2018年12月
总资产(元)
2,345,298,917.71
1,814,069,093.40
1,074,116,874.19
926,445,621.22
净资产(元)
1,180,275,120.86
1,122,498,745.81
814,269,557.03
694,153,505.45
少数股东权益(元)
-625,975.59
289,071.44
-
-
营业收入(元)
373,895,652.48
435,627,676.17
251,251,546.85
70,644,026.75
净利润(元)
57,048,733.85
-11,699,944.22
-19,366,448.24
-103,222,885.38
资本公积(元)
1,001,575,585.12
1,280,812,453.49
977,830,688.99
845,585,030.67
未分配利润(元)
84,466,514.33
-254,765,043.20
-243,276,027.54
-223,909,579.30
基本每股收益(元)
0.61
-
-
-
稀释每股收益(元)
0.61
-
-
-
每股现金流(元)
-0.80
3.26
-0.28
-1.80
净资产收益率(%)
5.03
-1.11
-2.83
-13.86
拓荆科技IPO专题全部新闻
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2022-04-12拓荆科技中签号码共有16,269个
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2022-04-08拓荆科技今日申购 发行价格为71.88元/股
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2022-03-29拓荆科技IPO发行安排
2022-03-29拓荆科技今起招股 4月8日申购
2022-03-01拓荆科技IPO注册获同意 将于上交所科创板上市
2021-11-01拓荆科技IPO过会 将于上交所科创板上市
2021-10-25拓荆科技10月29日上会 拟发行3,161.9800万股
2021-07-13拓荆科技IPO被受理 将于上交所科创板上市
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