科普:一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目? - 人人焦點

這個要根據die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。

目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個寸是估算 ... 人人焦點 影視 健康 歷史 數碼 遊戲 美食 時尚 旅遊 運動 星座 情感 動漫 科學 寵物 家居 文化 教育 故事 科普:一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目? 2021-02-08至秦電子 一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目？這個要根據die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。

目前業界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個寸是估算值。

實際上的晶圓直徑是分爲150mm，300mm以及450mm這三種，而12寸約等於305mm，爲了稱呼方便所以稱之爲12寸晶圓。

科普：waferdiechip的區別我們先從一片完整的晶圓（Wafer）說起：一塊完整的wafer名詞解釋：wafer即爲圖片所示的晶圓，由純矽（Si）構成。

一般分爲6英寸、8英寸、12英寸規格不等，晶片就是基於這個wafer上生產出來的。

Wafer上的一個小塊，就是一個晶片晶圓體，學名die，封裝後就成爲一個顆粒。

一片載有NandFlash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然後測試，將完好的、穩定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NandFlash晶片（chip）。

那麼，在wafer上剩餘的，要不就是不穩定，要不就是部分損壞所以不足容量，要不就是完全損壞。

原廠考慮到質量保證，會將這種die宣布死亡，嚴格定義爲廢品全部報廢處理。

die和wafer的關係品質合格的die切割下去後，原來的晶圓就成了下圖的樣子，就是挑剩下的DowngradeFlashWafer。

篩選後的wafer這些殘餘的die，其實是品質不合格的晶圓。

被摳走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，會被原廠封裝製作爲成品NAND顆粒，而不合格的部分，也就是圖中留下的部分則當做廢品處理掉。

晶圓尺寸發展歷史（預估）一片晶圓可以切多少個晶片？國際上Fab廠通用的計算公式：聰明的讀者們一定有發現公式中：π*(晶圓直徑/2)的平方不就是圓面積的式子嗎？再將公式化簡的話就會變成：X就是所謂的晶圓可切割晶片數(dpw：dieperwafer)。

那麼考考各位的計算能力了唷！假設12寸晶圓每片造價5000美金，那麼NVIDIA最新力作GT200的晶片大小爲576平方公厘，在良率50%的情況下，平均每顆成本是多少美金？答案：USD.87.72盤點2015年全球晶圓代工廠30強一顆集成電路晶片的生命歷程就是點沙成金的過程：晶片公司設計晶片——晶片代工廠生產晶片——封測廠進行封裝測試——整機商採購晶片用於整機生產。

晶片供應商一般分爲兩大類：一類叫IDM，通俗理解就是集晶片設計、製造、封裝和測試等多個產業鏈環節於一身的企業。

有些甚至有自己的下游整機環節，如Intel、三星、IBM就是典型的IDM企業。

另一類叫Fabless，就是沒有晶片加工廠的晶片供應商，Fabless自己設計開發和推廣銷售晶片，與生產相關的業務外包給專業生產製造廠商，如高通、博通、聯發科、展訊等等。

與Fabless相對應的是Foundry（晶圓代工廠）和封測廠，主要承接Fabless的生產和封裝測試任務，典型的Foundry（晶圓代工廠）如台積電、格羅方德、中芯國際、台聯電等，封測廠有日月光，江蘇長電等。

幾大晶圓代工業在大陸狀況聯電在中國蘇州的和艦廠8寸晶圓月產能約6-7萬片，2016年暫無進一步擴產計劃。

聯電以投資中國IC設計廠商聯芯的方式，自2015年起的5年內將投資13-14億美元，在廈門興建12寸晶圓廠，總投資規模爲62億美元，已於2015年3月份動工。

初期會以40/55納米製程切入市場，未來以轉進28納米爲目標。

廈門廠預計2016年年底至2017年年初投片生產，初期月產能1-2萬片，未來會再視情況進行擴充。

聯電是目前晶圓代工廠商中，在中國設廠腳步最快的公司。

中芯目前共有3座8寸晶圓廠，分別在上海、天津和深圳。

其中，上海與天津的8寸廠月產能總計約13-14萬片，深圳廠預計今年第四季開始投片生產。

2016年，中芯的8寸晶圓總產能可達每月15-16萬片水平。

其12寸廠房分別座落在上海和北京，月產能總計約5萬片，2016年北京廠打算再增加約1萬片月產能。

中芯國際未來能否順利突破28nm製程瓶頸，將是營運能否更上一層樓的觀察重點。

台積電在中國上海松江8寸晶圓廠月產能約10-11萬片。

目前其內部正在評估去中國設置12寸晶圓廠的必要性。

一旦確定設廠，在考慮建廠進度與市場需求下，初期至少會以28納米製程爲切入點。

三星目前在中國僅有一座12寸晶圓廠，以生產NANDFlash產品爲主。

考慮其晶圓代工產能與主力客戶羣，1-2年內應沒有赴中國建置晶圓代工廠的計劃。

來源：半導體觀察 相關焦點 一片晶圓可以切多少個晶片? 本文轉載自：百度百家/半導體行業觀察一片晶圓到底可以切割出多少的晶片數目？ 科普:一片晶圓可以切多少個晶片? 1、台灣積體電路製造股份有限公司(台積電TSMC)總部：台灣主營：各種晶圓代工。

2、格羅方德(GlobalFoundries)總部：美國主營：爲ARM、Broadcom、NVIDIA、高通公司、意法半導體、德州儀器等晶圓代工。

一塊晶圓可以生產多少晶片? 近些日子，作爲國內通訊和手機行業領軍企業的華爲又遇到了新的大麻煩，在接下的數年甚至更長的日子裡，可能會面臨晶片斷供的危機。

那問題是小小的一個手機晶片爲什麼不能自主生產？到底是怎麼回事？其實說白了，一個小小的手機晶片，論研發，華爲有數以萬計的頂尖工程師去共同開發大腦，但是論最頂尖最前沿的生產技術，還真不是我們國家的晶片製造行爲力所能及的。

科普|如何做晶圓切割(劃片)? 晶圓切割（即劃片）是晶片製造工藝流程中一道不可或缺的工序，在晶圓製造中屬於後道工序。

半導體晶圓切割簡析 一般封測工藝包括圓片減薄、貼片、晶圓切割、裝片、鍵合、封裝、後固化、去飛邊、電鍍、列印、切筋和成型、外觀檢查、成品測試等工序。

根據晶圓工藝製程及客戶對產品需求的不同，一片晶圓通常由幾百至數萬顆小晶片組成，業內大部分晶圓上的Dice之間有著40um-100um不等的間隙區分，此間隙被稱爲劃片街區（切割道)。

科普|晶圓和矽片的區別! 晶圓的原始材料是矽，而地殼表面有用之不竭的二氧化矽。

(二)晶圓的製造過程晶圓是製造半導體晶片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是矽，因此對應的就是矽晶圓。

矽在自然界中以矽酸鹽或二氧化矽的形式廣泛存在於岩石、砂礫中，矽晶圓的製造可以歸納爲三個基本步驟：矽提煉及提純、單晶矽生長、晶圓成型。

科普下IC晶圓切割的精準刀法 X光的照射，就能看到die和金線的分布，只要避開這些區域，就可以將晶片封裝刮開，達到修復晶片或者破解晶片的目的。

如上邊台積電IC製造流程宣傳視頻所示，矽晶棒切割打磨成晶圓wafer，然後晶圓經過光刻和蝕刻成若干片die，經過晶圓針測後，將切割下來的die進行封裝，最後對封裝好的晶片進行測試 晶圓雷射切割技術的研究進展 外形封裝的第一步就是晶圓切割，晶圓切割工藝的效果直接影響晶片的性能和效益。

此外，根據摩爾定律要求，單個晶片尺寸越來越小，晶圓厚度越來越薄，晶圓更加容易斷裂;爲了降低耦合及串擾，目前在IC晶片製作中需要加入低k材料，但低k材料與矽襯底的附著力較低，使用傳統切割方法時容易出現薄膜脫離和破碎等現象，進一步增加了晶圓切割的複雜度和難度。

【科普】從晶圓到顆粒——我們用的固態顆粒到底是怎麼來的? 但如果你是一個對於固態顆粒或者內存顆粒非常感興趣的玩家，那麼我相信這次科普會對你的認知進行刷新。

晶圓到顆粒第一步——晶圓研磨    這個世界上，能生產晶圓的工廠不多，而NAND晶圓的生產，有三星，海力士，IMFT（美光與intel），東芝等。

一枚晶片的實際成本是多少? 集成電路產業的特色是贏者通吃，像Intel這樣的巨頭，巔峯時期的利潤可以高達60%。

那麼，相對應動輒幾百、上千元的CPU，它的實際成本到底是多少呢？晶片的成本包括晶片的硬體成本和晶片的設計成本。

晶片硬體成本=（晶片成本+測試成本+封裝成本+掩膜成本）/最終成品率從二氧化矽到市場上出售的晶片，要經過製取工業矽、製取電子矽、再進行切割打磨製取晶圓。

晶圓是製造晶片的原材料，晶片成本可以理解爲每一片晶片所用的材料（矽片）的成本。

一般情況下，特別是產量足夠大，而且擁有自主智慧財產權，以億爲單位量產來計算的話，晶片成本占比最高。

全自動晶圓雷射隱形切割設備 外形封裝的第一步就是晶圓切割，晶圓切割工藝的效果直接影響晶片的性能和效益。

　　傳統的刀切方式存在切割過程中碎屑和裂縫的產生、切割邊緣強度降低等問題。

而傳統的雷射切割技術由於雷射與材料的熱效應，引入熱影響區和微裂縫，熱影響區過大，晶圓有效面積減小，微裂縫若延伸至芯的保護範圍，會影響晶片性能。

半導體晶圓中的雷射切割應用 ，矽、碳化矽、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用於半導體晶圓的襯底材料。

隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向於輕薄化，傳統的很多加工方式已經不再適用，於是在部分工序引入了雷射隱形切割技術。

1.非接觸式加工：雷射的加工只有雷射光束與加工件發生接觸，沒有刀削力作用於切割件，避免對加工材料表面造成損傷。

劃片刀配方對砷化鎵晶圓切割崩裂的影響 砷化鎵（ＧａＡｓ）屬Ⅲ～Ⅴ族化合物半導體材料，因其具有較高的飽和電子速率和電子遷移率，在雷射、發光和微波等應用領域顯示出優異的性能。

但是砷化鎵晶圓的脆性高，材料的彈性極限和屈服強度接近，與矽材料晶圓相比，在切割過程中更容易產生晶片崩裂現象，使晶片的晶體內部產生應力損傷，導致產品失效和使用性能降低。

 國內外學者對矽晶圓切割進行了深入的研究。

wafer晶圓、die晶粒、cell它們的關係和區別? 最開始聽他們說「die」我都還不知道是什麼意思，後來才知道原來晶片還可以這麼搞。

下面就來說說wafer、die、cell這幾個專業名詞。

wafer，即大家所說的「晶圓」，晶圓是指製作矽半導體電路所用的矽晶片，其原始材料是矽。

高純度的多晶矽溶解後摻入矽晶體晶種，然後慢慢拉出，形成圓柱形的單晶矽。

矽晶棒在經過研磨，拋光，切片後，形成矽晶圓片，也就是晶圓。

量子晶片|關於現在、關於未來 爲了讓這些納米級的元件「安家落戶」，晶片在投入使用前，要經歷上百道工序的納米級改造…... 正的晶片製造過程十分複雜，下面我們爲大家簡單介紹一下。

晶圓是指矽半導體集成電路製作所用的矽晶片，由於其形狀爲圓形，故稱爲晶圓。

碳化矽晶片怎麼製造?這條科普宣傳片告訴你! 網絡熱議的碳化矽晶片與傳統矽基晶片有什麼區別？浙江大學杭州國際科創中心（以下簡稱科創中心）先進半導體研究院研究的寬禁帶半導體技術，到底能爲我們的生活帶來什麼巨大改變？爲大家解開謎團，走進神祕的晶片世界。

科創中心先進半導體研究院特別推出了一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個晶片通！ 8英寸晶圓到底怎麼了? 」，而是變成了「你，有8英寸晶圓嗎？」。

 8英寸（200mm）晶圓到底有多缺？這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說起：關於晶圓尺寸的演變，在業內比較公認的一種說法是：1980年代是4英寸矽片占主流，1990年代是6英寸占主流，2000年代是8英寸占主流，2008年之後是以12英寸爲主流的市場。

這時候有人會問，既然矽晶圓越大，每塊晶圓能生產的晶片越多，那晶圓的尺寸爲什麼不直接做大一點？ 晶圓和矽片的區別 (二)晶圓的製造過程晶圓是製造半導體晶片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是矽，因此對應的就是矽晶圓。

矽在自然界中以矽酸鹽或二氧化矽的形式廣泛存在於岩石、砂礫中，矽晶圓的製造可以歸納爲三個基本步驟：矽提煉及提純、單晶矽生長、晶圓成型。

晶圓和矽片的區別! 晶圓的原始材料是矽，而地殼表面有用之不竭的二氧化矽。

(二)晶圓的製造過程晶圓是製造半導體晶片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是矽，因此對應的就是矽晶圓。

矽在自然界中以矽酸鹽或二氧化矽的形式廣泛存在於岩石、砂礫中，矽晶圓的製造可以歸納爲三個基本步驟：矽提煉及提純、單晶矽生長、晶圓成型。

迪思科開發出產量增至1.5倍的晶圓加工技術 與使用線鋸的傳統方法相比，生產SiC晶圓的加工時間大約可以縮短到1/4，產量大約可以增加到1.5倍。

部分客戶已經開始試用這次的加工方法。

目前從SiC鑄錠上切割SiC晶圓主要使用金剛石線鋸。

但這種加工方法存在兩大課題。

1個是SiC非常堅硬，加工時間長。

另1個是線鋸切割部分的材料損耗大，會減少1隻鑄錠可以切割出的晶圓數量。

這些因素導致了SiC晶圓的生產效率降低，成本居高不下。