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論文名稱(外文):, Langmuir Probe Plasma Diagnostic System With RF Compensation ... Langmuir Probe Diagnostic Technique)，主要原理是將金屬探針直接伸 資料載入處理中... 跳到主要內容 臺灣博碩士論文加值系統 ::: 網站導覽| 首頁| 關於本站| 聯絡我們| 國圖首頁| 常見問題| 操作說明 English |FB專頁 |Mobile 免費會員 登入| 註冊 功能切換導覽列 (165.22.59.181)您好！臺灣時間：2021/11/2520:56 字體大小：       ::: 詳目顯示 recordfocus 第1筆/ 共1筆  /1頁 論文基本資料 摘要 紙本論文 QRCode 本論文永久網址: 複製永久網址Twitter研究生:張慶彥研究生(外文):Chang,Ching-Yen論文名稱:具射頻償之蘭牟爾探針電漿量測系統之研製與量測分析論文名稱(外文):LangmuirProbePlasmaDiagnosticSystemWithRFCompensation指導教授:柳克強,林滄浪指導教授(外文):LeouKeh-Chyang,LinTsang-Lang學位類別:碩士校院名稱:國立清華大學系所名稱:工程與系統科學系學門:工程學門學類:核子工程學類論文種類:學術論文論文出版年:1998畢業學年度:86語文別:中文論文頁數:120中文關鍵詞:電漿、量測、探針、射頻、補償、蘭牟爾外文關鍵詞:PLASMA、DIAGNOSTIC、LANGMUIR、PROBE、RF、COMPENSATION相關次數: 被引用:7點閱:371評分:下載:0書目收藏:0 在半導體工業蓬勃發展的今天，許多關鍵性的製程技術會借助電漿(Plasma)才能達成，而為了控制半導體成品在電漿製程中的良率，則必須知道電漿在製程中的均勻性、能量分佈等等的電漿特性，這使電漿量測技術的發展必須和電漿的使用同步進行。

然而為了增加半導體成品在市場上的競爭力，在電漿製程中漸以採用大面積高密度的射頻(RadioFrequency,RF)電漿源，這使得在量測電漿時，必須補償射頻的干擾才能得到正確的電漿特性。

所以，能夠擁有一套補償後的電漿量測系統，才能夠瞭解射頻電漿源的特性。

電漿的量測方式有很多種，其中能夠瞭解電漿在空間中局部特性的方法，最常見的是蘭牟牟爾探針量測技術(LangmuirProbeDiagnosticTechnique)，主要原理是將金屬探針直接伸入電漿中，並加約50V的直流偏壓，記錄探針上的電壓及電流值，繪製成電流-電壓特性曲線(I-Vcharacteristic)，再配合適當的探針理論，便可計算出電子溫度、電漿密度、電漿電位、浮動電位及電子能量分佈函數等重要的電漿參數。

而在射頻電漿源中，量測電漿之前必須在探針上製作射頻補償電路將射頻的干擾消除後，才能進一步對量測到的數據加以分析。

常見補償方式，是利用金屬環把電漿中的射頻電位引入探針，經電路將射頻干擾衰減或平均掉，留下能由探針理論做正確分析的電流電壓數據，才再進一步了解電漿的內部結構狀態。

本實驗是接續清華大學工程與系統科學系電漿實驗室設計研發之蘭牟爾探針自動化量測系統，針對現有使用13.56MHz之射頻ICP(InductiveCoupledPlasma)電漿源，再進行蘭牟爾探針的補償設計及改良工作。

探針的補償設計及量測系統的電路部份均自行製作，配合本實驗室ICP電漿源能適用之EEDF的探針理論及補償方法，以其能在射頻電漿源中的量測得到正確的電漿特性。

實驗結果發現，未補償探針量得的結果，電子能量出現Non-Maxwellian分佈的機會大為增　　加，而加置射頻補償電路探針量到的結果，會有較偏Maxwellian分佈的EEDF圖形。

使用EEDF法求得的電子溫度較為可靠，且未補償探針在電子溫度量測上會受到較大的射頻電位干擾。

電漿密度的計算則以EEDF及Thick-sheathTheory的結果較為符合ICP電漿源的條件，但因為假設上的差異，由EEDF理論求出來的電漿密度會略小於實際的電漿密度。

在探針補償前後的電漿電位，則無太大的差別。

由於探針所在的量測位置，距射頻電漿源約6~8cm，使得部份射頻擾動電位被電漿屏蔽掉而傳不到探針表面上來，若將補償探針置於再靠近射頻電漿源的發生處，則探針的射頻補償效果會更明顯。

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