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穩懋(3105. ... 2020年公司營收比重:砷化鎵晶圓代工98%、其他2%。
... 為海外控股,轉投資穩銀科技,穩銀科技經營半導體測試設備之研究開發且以微 ...
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穩懋半導體股份有限公司
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doremi123
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(一)公司簡介
1.沿革與背景
穩懋(3105.TW)成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。
2016年,公司宣布跨入光通訊市場,並自建EPI,主要提供美國、日本、加拿大客戶客製化一條龍生產服務,包括磊晶、二次磊晶及光電元件製造,材料及元件特性描述、測試服務;其中,磊晶與光電製造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。
2.營業項目與產品結構
公司主要從事砷化鎵微波積體電路(GaAsMMIC)晶圓之代工業務,提供HBT、pHEMT微波積體電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務,應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RFSwitch)、手機及無線區域網路用功率放大器(PA)與雷達系統上。
2020年公司營收比重:砷化鎵晶圓代工98%、其他2%。
2021Q3公司應用比重:cellular(手機行動網路)佔45-50%、Wi-Fi佔10-15%、Infrastructure(通訊基礎建設)佔15-20%,其他佔19%。
圖片來源:公司網站
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
砷化鎵電晶體製程技術分為三類:
A.異質接面雙極性電晶體(HBT)
B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)
C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。
公司所提供是HBT和pHEMT,頻譜範圍由1GHz到100GHz,滿足低頻到高頻應用。
射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)係以HBT來設計,而微波開關器(RFswitch)則利用D-modepHEMT來設計。
公司領先全球研發於六吋砷化鎵基板,同時製作二種以上高效能之元件,以整合晶片製程上之技術,並縮小射頻模組電路面積、降低成本。
公司在0.25微米的pHEMT製程擁有領先技術,在製程縮微方面,也已經切入0.1微米領域,高階製程持續領先同業。
2016年,公司跨入新產品線,規劃自建一條龍產線,切入光通訊晶片發射端(LD)雷射二極體、接收端PD(檢光二極體)的生產,包括從磊晶、晶圓製造到測試,可提供客戶ODM服務,預計2016年Q4開出新產能,可應用於2.5G、10G至25G資料傳輸速率的產品,2017年則可大量出貨。
2.重要原物料及相關供應商
公司主要原料為砷化鎵磊晶片及貴金屬,採購以長期合作的供應商為主。
3.產能狀況與生產能力
公司旗下共有三個生產基地,包含華亞A廠、華亞B廠、桃園龜山廠。
2022年年初公司月產能約4.1萬片,預計2022年將擴充3000~5000片/月產能。
公司南科路竹新廠,計劃2021年年中動工,目標三年後完工投產。
(三)市場需求與銷售競爭
1.產業結構與供需
砷化鎵產業上游關鍵材料為砷化鎵磊晶圓,產業鏈由上而下為IC設計、晶圓製造及封測,整個產業除晶圓製造外,設計與先進技術仍掌握在國際IDM大廠,砷化鎵晶圓製造市場中,IDM公司仍佔有超過70%的生產規模。
砷化鎵半導體相較於矽半導體具有高頻、抗輻射、電子遷移速率快、耐高溫等特性,主要應用在無線通訊、光通訊上,其中以無線通訊(2G/3G/4G/Wi-Fi)的普及為帶動砷化鎵產值的最大動力。
受惠於物聯網市場,Wi-Fi用PA用途包括工業級物聯網、車聯網、Wi-Fi路由器、醫療物聯網等需求,將推升Wi-Fi在終端裝置的滲透率大幅提升,同步帶動基地台基礎建設成長。
2.銷售狀況
2020年銷售區域比重:台灣佔6%、亞洲佔67%、美洲佔23%、歐洲佔4%。
2020年公司在全球砷化鎵晶圓代工市佔率近八成,為全球第一大砷化鎵晶圓代工半導體廠商。
公司客戶包含Broadcom、Murata、Skyworks、Qorvo、Lumentum等。
3.國內外競爭廠商
砷化鎵晶圓代工廠,國內有宏捷科與及聯穎(聯電集團),國外有Triquint、GCS。
全球主要砷化鎵IDM廠商包括Skyworks、Triquint、Anadigics、Avago、RFMD等,合佔全球6成比重。
(四)財務相關
1.轉投資
(1)持股100%的WINUS於2000年3月在美國加州投資設立,定位為蒐集市場商情、提供諮詢及售後服務。
(2)持股100%的WINCAYMAN於英屬開曼群島投資設立,從事歐美澳地區砷化鎵晶圓之銷售業務,並作為控股公司間接投資WinMEMSHoldings、穩銀科技及WinMEMSUSA。
(3)持股26%的連接器廠-宣德,研發RF連接器。
(4)持股21%的英懋達光電,開發砷化鎵多接面太陽能電池。
(5)WinMEMSHoldings為海外控股,轉投資穩銀科技,穩銀科技經營半導體測試設備之研究開發且以微機電(MEMS)為核心技術,從事半導體晶圓測試設備-探針卡之研發、設計及製造。
(6)投資LED晶粒廠-廣鎵光電,LED與砷化鎵所使用之磊晶圓片同屬於III-V族半導體化合物,透過投資廣鎵,以取得磊晶圓相關技術。
(7) 2010年5月廣鎵光電與晶電公司為建立策略合作,晶電以增資發行新股受讓廣鎵及參與廣鎵光電現金增資之方式取得廣鎵股份。
公司持有廣鎵股票按2.36:1交換晶電公司股票,交換後共計取得晶電1.69%持股。
(8)2010年9月公司董事會通過與英業達、英華達、無敵合資設立英穩達股份有限公司,英業達與持股百分之百子公司英源達,分別持股比例為35%及5%、英華達為10%、無敵5%、穩懋持股不超過23%。
英穩達主要生產多晶矽太陽能電池,廠房將設於桃園科學園區,第一期規劃產能為180MW,預計於2011年5、6月投產。
分類主題:
砷化鎵相關‧化合物晶圓‧穩懋
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