電漿自偏壓

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研究.[PDF] 7 Plasma Basic 7 Plasma Basic列出電漿(plasma)的三種主要成分 ... What is plasma? • Why use plasma? •離子轟擊(Ion bombardment). A li ti f l ... 增加射頻功率, 增加直流偏壓, 離子密度亦增. 加.[PDF] 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告1996年7月31日 · 由實驗結果得知，在低射頻偏壓下，相同的電漿功率會因不同的腔體狀態而. 產生不同的 ... 的射頻功率產生器連接，用來在晶圓上產生自偏壓，並進而控制離子能量。

射頻 ... P. I . Klimecky, J. W. Grizzle, and F. L. Terry, Jr., J. Vac.[PDF] 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - eTop-工程科技推展平台極偏壓功率等將是主要的實驗參數，以掌握玻璃基板最佳之. 粗糙化乾蝕刻條件。

至於非晶矽薄膜之製作，則於粗糙化之. 玻璃基板上以電漿增強式化學氣相沉積法 ...電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents特別是，於電漿蝕刻係對晶圓施加數百kHz至數十MHz之高頻偏壓，使電漿中之 ... 之間，針對偏壓之峰值(Peak to Peak Value)Vpp、自偏壓Vdc、裝置系之阻抗Z之 ...[PDF] 研究機構能源科技專案106 年度執行報告 - 經濟部能源局2017年12月1日 · 錦寬科技有限公司投資5,000 仟元及增員3 人，藉由超高頻電漿矽基異. 質接面薄膜製造技術及自有真空設備製程能力，進一步優化用於HIT. 太陽能 ...[PDF] ITO - 正修科技大學Kaohsiung County, Taiwan, Republic of China. Abstract. The paper was ... 靶材電壓VT，見圖2-3) [31]，電漿中的正離子將持續撞擊鍍層。

偏壓濺鍍. 在沈積過程中，粒子 ... [5] X. Jiang, F.L. Wong, M.K. Fung, S.T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83 (2003).