磊晶方法

磊晶. • 希臘字源. • epi: 往上. • taxy: 有次序的, 排列的. • 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係.

磊晶用途 ... 而磊晶薄膜是純度極高之矽晶底層，用於晶圓上而形成一個非常均勻的晶體結構，用以增強半導體晶片之工作效能。 近年來磊晶成長技術的進步，使砷化鎵砷化鋁鎵異質 ...

非晶）. • polycrystalline（多晶，多結. 晶，複晶）. 結. • crystalline（結晶）. • Amorphous silicon（非晶矽） ... 磊晶（epitax...

所謂的磊晶矽晶圓片(Epitaxial Wafer)是指在一拋光晶圓片(在此稱為基板，英文為Substrate)所長出的一層單結晶薄膜而這層薄膜會在某一個平面之上進行規則排列的 ... 詳情».

若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD為氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍（MBE需時間加熱形成分子束）；但以磊晶品質來說，由於 ...