磊晶片是什麼

磊晶. • 希臘字源. • epi: 往上. • taxy: 有次序的, 排列的. • 磊晶層為一生長在單晶基片上單晶層. → 基片和上層間存在一特定之晶體關係.

若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點，MOCVD為氣相方式導入反應腔體，其速度較MBE快1.5倍（MBE需時間加熱形成分子束）；但以磊晶品質來說，由於 ...

包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊晶→設計→製造→ ... 而與第一代、第二代半導體並非替代關係，而是形成互補，三者特性各異、用途不同。

所謂的磊晶矽晶圓片(Epitaxial Wafer)是指在一拋光晶圓片(在此稱為基板，英文為Substrate)所長出的一層單結晶薄膜而這層薄膜會在某一個平面之上進行規則排列的 ... 詳情».

磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶 ...