soi基板

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... 並且，Cavity構造能夠在不同材質的基板上成形Box層，或是依照客戶需求來成形。

[PDF] 可三維堆疊鰭式及超薄通道電晶體SOI(Silicone-on-insulator) 結構所製作出的電晶體有較低漏電流，較低能量損耗， 高 ... 以低溫製程(<700℃)在基板上直接製作可多層堆疊之電 ... [1] F-L. Yang, et al, IEDM Tech. Dig, pp. 255, Dec. 2002. [2] A. Sachid, C. Hu, Int. Semic. Dev. Res.SOI晶圓 - 電子時報2012年11月28日 · 絕緣層上覆矽(Silicon-on-Insulator；SOI)技術為法國晶圓大廠Soitec所有，主要為在矽晶圓上作特殊材質處理，例如矽、藍寶石基板或各式材料， ...[PDF] 楊啟榮博士黃茂榕博士 - 國立臺灣師範大學線的製作後，期望日後能在SOI 晶片上實現以矽奈米線作為熱電材料，製作. 高性能微型熱電致冷元件的 ... 熱電致冷晶片，並以半導體常用之SOI (Silicon on insulator) 晶片作為基板，. 通入電流驅動致冷 ... FL, USA, (1999), 171-176. 33. J. M. Koo, L. Jiang, L. Zhang, P. Zhou, S. S. Banerjee, T. W. Kenny, J. G.. Santiago, and K. E. ...CN102057463A - 氮化合物半导体基板的制造方法和氮化合物半导体 ...[0006] 但是，在使碳化硅层在SOI基板上面外延生长再在其上使氮化物半导体层 ... 装置进行如下操作：将上述Si基板1设置到加热炉10内，将氢气Gl与烃系气体G2的 ...CN102057463B - 氮化合物半导体基板的制造方法和氮化合物半导体 ...[0006] 但是，在使碳化硅层在SOI基板上面外延生长再在其上使氮化物半导体层 ... 装置进行如下操作：将上述Si基板I设置到加热炉10内，将氢气Gl与烃系气体G2的 ...CN102136413A - 倒角基板布线方法- Google Patents该方法重要是包括以下步骤，这些步骤包括：借助于等离子体在所述基板(4)的外周环形区(400)上淀 ... TW. Application number: TW99137053A. Filing date: 2010-10 -28 ... [0023] 附图2以截面图非常示意地示出了SOI型供体基板的一部分在如 ... 等于所述正面Gl)的未倒角平面区G10)的外径，通过这种方式对构成待布线的所述基板的 ...