soi原理

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CN105261648A - 半导体器件及其制造方法- Google Patents通过使天线效应对策用虚设填充单元(DT)的栅极绝缘膜(GID)的厚度比SOI ... 的情况下，除了特别明示的情况以及在原理上明显地限定于特定数的情况等，并不限定于该特定的 ... 多晶硅膜Gl的厚度为例如50nm左右，氧化硅膜Dl的厚度为例如30nm， 氮化硅膜D2的 ... US8304840B2 * 2010-07-29 2012-11-06 Taiwan Semiconductor ...SOI晶圓| SEIREN KST株式會社 - セーレンKST株式会社SOI（Silicon on Insulator）晶圓是於氧化膜上成形矽單結晶層為構造的晶圓。

於高速LSI、低耗電LSI、Power Device、 MEMS等領域被廣泛的使用。

本公司除了 ...