三星3nm工藝開發完成，整體表現高於預期
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集微網消息（文/Oliver），1月3日，據韓媒Business Korea報導，三星電子已經成功開發了業界首個3nm製程，預計將於2022年開啟大規模量產。
報導稱，與三星電子的5nm工藝相比，3nm製程能將晶片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
在3nm節點，三星用GAA MCFET（多橋通道FET）工藝取代了之前的FinFET工藝。
根據最新消息，三星的3nm工藝整體表現要高於預期水平。
按照去年的說法，與7LPP工藝相比，三星原本預估3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而現在是將3nm同5nm進行對比，各方面表現又略有提升。
據悉，三星的5nm FinFET工藝與7LPP相比，將邏輯區域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%。
值得一提的是，三星一直被詬病的電晶體密度仍然未被提及。
作為GAA技術的領頭羊，三星究竟能否藉由3nm工藝翻盤，還需要時間來證明。
反觀競爭對手台積電，該公司也已經在規劃3nm製程量產，其位於南科的3nm廠環評已於去年順利通過，落腳在新竹的3nm研發廠房環評也順利通過初審，等到環評大會確認結論後，預計可順利趕上量產時程。
日前，台積電創始人張忠謀在談到三星時表示，三星是很厲害的對手，目前台積電暫時占據優勢，但僅僅只是贏了一兩場戰役，整個戰爭還沒有結束。
（校對/Vivian）
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