合肥長鑫DRAM首次投片 中國手機品牌亟待國產存儲

近期，合肥長鑫的DRAM首次投片，產品規格為8GBLPDDR4。

合肥長鑫此次投片的8GBLPDDR4屬於19nmDRAM工藝，在12英寸的矽片上可以製作900個產品，如果成品率為100%，代表著900個產品都可以售賣使用。

但是據消息稱，此次合肥長鑫將成品率的目標定在了10%。

「對於合肥長鑫來說，首次進行投片，成品率不是最重要的，重要的是，能否實現從0到1的跨越。

因為第一次流片的成功率普遍很低，甚至有Fab廠進行過五次的投片。

一旦成品率為0，那就說明工藝存在問題。

」專家表示。

有分析人士指出，合肥長鑫宣稱目標在於19納米的DRAM內存，初期產品良率目標為不低於10%，這意味著從初期試產進入穩定量產還有漫漫長路，加上合肥長鑫發展的DDR4移動式內存為市場主流，未來恐難逃大廠專利的鉗制。

今年初，福建省晉華集成電路有限公司(JHICC)對美國晶片巨頭美光(Micron)提起訴訟，指其部分SSD固態硬碟、內存條產品侵犯專利權，要求法院禁售。

7月3日，福州市中級人民法院裁定，美光半導體銷售(上海)有限公司立即停止銷售、進口十餘款英睿達固態硬碟、內存條及相關晶片，並刪除其網站中關於上述產品的宣傳廣告、購買連結等信息。

同時，法院裁定美光半導體(西安)有限責任公司立即停止製造、銷售、進口數款內存條產品。

這是中國發展半導體被指稱「竊密」和「侵權」以來，首次成功重拳回擊。

今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。

從目前三家廠商的進度看，其試產時間預計將在2018年下半年，量產時間可能會集中在2019年上半年。

分析人士指出，紫光集團旗下的長江存儲發展情勢較為樂觀，已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單，但32層3DNANDFlash量產規模仍有限，單月僅約5,000片，長江存儲的研發重點將集中於64層3DNANDFlash，目標2018年底前推出第一個產品樣本。

中國手機品牌亟待國產存儲

中國手機品牌在全球市場表現亮眼。

全球智慧型手機品牌出貨量TOP10中，國內廠商占7個席位。

數據顯示，我國每年晶片進口額超過兩千億美元，其中，存儲晶片占比接近50%。

2017年中國進口存儲晶片889.21億美元，比2016年的637.14億美元增長39.56%。

從2016年開始，DRAM的價格多次提高。

2017年，DRAM晶片價格大漲了47%，創下了30年來的最大漲幅。

從今年年初到現在，DRAM價格漲幅開始有所下降，不到10%，但對利潤空間本來就很小的中國手機品牌來說，承受著巨大的壓力。

5月31日，中國反壟斷機構派出多個工作小組，分別對三星、海力士、美光三家公司位於北京、上海、深圳的辦公室展開「突襲調查」和現場取證，標誌著中國反壟斷機構正式對三家企業展開立案調查。

據相關消息稱，今年4月28日，三星電子、海力士公司以及美光科技被指控串謀限制DRAM內存晶片供應，被提出集體訴訟。

至於三家公司過去幾年是否真的實施了價格操縱、壟斷市場的行為，相信中國反壟斷機構最終會給出答案。