中芯定購EUV光刻機，中國應該如何看待高端光刻機技術落後的事實？

近日，據日經亞洲評論報導稱，中芯國際已向頂級晶片設備製造商ASML定購了首批EUV光刻機（實現晶片7nm製程工藝的關鍵設備），售價高達1.2億美元。

此舉將有助於國產晶片製程工藝的升級，有可能直接達到國際一流水平的7nm晶片製程工藝。

在還未能引進ASML光刻機（據稱被瓦森納協定限制）之前，最好的國產光刻機加工精度為90nm，僅相當於2004年上市的晶片奔騰4的加工水平。

ASML光刻機

1.高端光刻機技術無法短期之內複製和超越

高端光刻機設備被譽為「半導體製造業皇冠上的明珠」，是晶片製造必不可少的設備。

但其製造難度之大，導致只有荷蘭的ASML能夠製造（日本的佳能、尼康只能製造中低端光刻機）。

同飛機發動機一樣，高端光刻機也難於被短期之內複製和超越。

其難度主要在兩個方面。

首先第一個難點在於3萬多個零件，採購於全球頂尖技術，每個零件和材料都挑戰著人類工藝的極限。

其中最為困難的是德國卡爾.蔡司旗下的CarlZeissSMT光學鏡片，其精確程度達到皮米（納米的千分之一）級別。

如果把整個鏡片放大到德國那麼大，其最高突起不能超過一厘米（一個指甲蓋的大小）。

其次如果這3萬多個採購於全球的頂尖零件都沒有被瓦森納協定限制，其機械配合精度也是難於短期之內克服的。

高端光刻機需要2個工作平台同步工作，一個平台載著底片，一個平台載著膠片，平台從靜止到運動加速度如同火箭發射，但誤差要求控制在2nm之內。

上海微電子董事長賀榮明說到：「相當於兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進。

一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，不能刻壞了。

」

所以說引進ASML光刻機短期有助於彌補國產晶片製造設計同國際一流水平的差距。

因為高端光刻機不是短期之內能追趕的技術，這需要中國用五十年至一百年的時間來長久規劃，而不是期望幾個月解決問題。

反射鏡引導雷射

2.對高端光刻機技術追趕應保持合理的態度

如果為了追趕高端光刻機技術短期之內投入大量資金和人力是不可取的。

因為首先高端光刻機不是短期之內能追趕的技術，需要一代人協同並進才能實現；其次一個國家用於科技扶持的資金是有限的，如果對某個技術加大投入必然會影響到其他技術的扶持。

現階段我們應該加大技術扶持的是人工智慧和5G通信技術，因為這是國際前沿科技競爭的地方。

但是對光刻機合理的技術扶持也是必須的。

5G等前沿科技競爭中國應該加大投入

3.關於瓦森納協定

《瓦森納協定》又稱瓦森納安排機制，目前共有包括美國、日本、英國、俄羅斯等40個成員國，而中國不在協定成員國之內。

儘管瓦森納協定規定成員國可自行決定是否發放敏感產品和技術的出口許可證，並在自願基礎上向其他成員國通報有關信息。

但該協定實際是受美國控制的。

例如「瓦森納協定」 某一成員國擬向中國出口某項高技術時，美國甚至直接出面干涉，如捷克擬向中國出口「無源雷達設備」時，美國向捷克施加壓力，迫使捷克停止這項交易。

此前荷蘭的ASML高端光刻機應該也在禁令之內，導致中國只能購買ASML生產的低端光刻機。

但是這次ASML向中芯出售的是其最高端的EUV光刻機設備，可以看出在全球化的今天，瓦森納協定伴隨著美國的衰落正在消失