三星FinFET技術被指侵權，將面臨訴訟

根據韓國日報投資者板塊報導，韓國三星電子可能將會面臨一起法律訴訟。

將三星訴至法院的機構為韓國科學技術院，後者指三星從自身成員盜取了FinFET技術，以節約了巨額的研發開支。

FinFET技術是由韓國首爾大學教授李忠浩所開發的，這名教授和韓國科學技術院之間存在合夥關係。

韓國科學技術院表示，三星在該項技術剛發布時並未展現出興趣，但在其競爭對手從韓國科學技術院取得FinFET的開發許可之後，三星邀請李忠浩教授對該技術面向自家工程師進行展示並竊取了這一技術。

在沒有獲得韓國科學技術院授權的情況下進行開發，從而省去了開發這一技術的時間和金錢成本。

除了三星電子之外，韓國科學技術院還計劃起訴半導體生產商Global Foundries以及美國高通公司。

前者曾經從三星處獲得FinFET的授權，而後者則和三星簽訂了代工協議，使用三星FinFET技術。

最後，韓國科學技術院還計劃起訴台灣半導體生產商台積電，但目前尚未有充足證據。