中芯國際與円星科技合作 推出多樣化存儲控制器應用平台

中芯國際集成電路製造有限公司(「中芯國際」)，中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業，與円星科技(「M31 Technology Corporation」)，專業的IP開發商，今日共同宣布，中芯國際將採用円星科技差異化高速接口IP，針對固態硬碟(SSD)、通用快閃記憶體(UFS)與USB快閃記憶體盤，推出多樣化的存儲控制器應用IP解決方案。

基於中芯國際從110nm到28nm的邏輯工藝技術，此存儲控制器應用平台可協助客戶實現低功耗、高性能和小晶片面積的產品設計，同時推動中芯國際的工藝平台實現更多差異化的應用。

中芯國際集成電路製造有限公司與円星科技今日共同宣布，中芯國際將採用円星科技差異化高速接口IP，針對固態硬碟(SSD)、通用快閃記憶體(UFS)與USB快閃記憶體盤，推出多樣化的存儲控制器應用IP解決方案。

針對固態硬碟(SSD)市場，中芯國際40nm低漏電工藝採用円星科技所開發的新一代PCIe 3.0物理層IP，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試並符合PCI-SIG的規範，針對不同帶寬需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的選擇，協助客戶快速開發出能夠支持PCle 3.0固態硬碟的晶片。

此外，中芯國際預計將在28nm先進工藝採用PCIe 3.0物理層IP，提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。

由於通用快閃記憶體2.0(Universal Flash Storage;UFS 2.0將成為新一代內嵌式存儲器的主流規格，中芯國際55nm LL工藝採用円星科技開發的MIPI M-PHY物理層IP，具備高帶寬能力與低功耗特性，已與多家廠商的控制器搭配測試並通過UFS 2.0的系統驗證。

另中芯國際預計將在28nm HK工藝與40nm LL工藝採用円星科技的MIPI M-PHY物理層IP，除了可支持雙通道技術之外，更支持極端省電的休眠模式，尤其適合新一代的行動裝置使用。

在USB快閃記憶體控制器產品應用上，円星科技自行開發的BCK (Built-in-Clock;內建頻率)技術，為行動裝置晶片提供無石英震盪器(Crystal-less)的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm工藝協助客戶導入量產。

新一代的BCK技術除了支持傳統USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外，也支持32.768KHz的頻率輸入, 除了能擴大BCK技術至USB主機端的應用之外，其低功率消耗的特性，也滿足了物聯網應用的需求。

隨著 Type-C接口的普及，円星科技正在中芯國際28nm及40nm工藝上開發USB3.1/USB3.0 PHY IP，將原本需要外接的高速交換器 (High-speed switch)，內建於PHY IP之中來支持無方向性的插拔，同時也支持不同VBUS組態的偵測，已成功導入客戶的產品設計。

中芯國際設計服務中心資深副總裁湯天申博士表示，「中芯國際在著重發展先進技術的同時，始終堅持特殊工藝及差異化產品的開發。

在存儲控制器產品領域，中芯國際的邏輯工藝技術和IP已布局多年，現已發展成熟並進入量產，能夠為客戶提供差異化解決方案，滿足大數據存儲對高性能、低功耗存儲控制器產品的需求。

円星科技是中芯國際的重要IP合作夥伴之一，有提供高速接口客戶多樣化解決方案的實力，未來我們期待雙方能夠進一步緊密合作，共創雙贏。

」

円星科技董事長林孝平表示，「中芯國際在諸多先進工藝上已陸續採用円星科技經技術驗證的IP，如 PCIe 3.0、MIPI M-PHY V3.0、USB3.0等產品，解決了當今主流存儲裝置各種晶片互連的需求，業者可集中心思在設計開發上，無需再耗費時間驗證IP。

通過與中芯國際的合作，我們相信能夠以優質的差異化高速接口IP和專業的服務來支持全球客戶。

」

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