安森美半導體和Transphorm推出600 V GaN 電晶體用於緊湊型電源及適配器

推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關係，把基於氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推出聯名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共柵(cascade)電晶體和使用這些器件的240 W參考設計。

安森美半導體電源分立分部副總裁兼總經理Paul Leonard說：「GaN電晶體為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來了性能飛躍。

隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優勢，基於GaN的產品需求將快速增長。

安森美半導體和Transphorm正工作於新的發展前沿，並加速市場的廣泛採納。

」

兩款新品NTP8G202N (TPH3202PS) 和 NTP8G206N (TPH3206PS)，導通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ，採用優化的TO-220封裝，易於根據客戶現有的制板能力而集成。

兩款600 V產品均已使用JEDEC標準認證並在量產。

NCP1397GANGEVB (TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設計，以實現和評估他們的電源設計中的GaN共源共柵電晶體。

該評估板為客戶提供比使用傳統器件的電源更小的占位面積和更高的能效。

升壓段提供98%的能效並採用NCP1654功率因數校正控制器。

LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。

這性能在以200+ 千赫茲(kHz)運行時實現，而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。

完整的文檔請從安森美半導體網站獲取。

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