安森美半導體推進更快、更智能和更高能效的GaN電晶體
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氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越矽的多種優勢，被稱為第三代半導體材料，用於電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、伺服器及通信電源等，可實現矽器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍。
公司信息:
ON Semiconductor-安森美半導體
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安森美半導體和Transphorm推出600 V GaN 電晶體用於緊湊型電源及適配器
推動高能效創新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，和功率轉換器專家Transphorm，先前宣布雙方建立了合作關係，把基於氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場，今天美國時間宣布推...