華虹100億美元無錫投建Fab7, 90nm半導體產線能夠幹啥?
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昨天,華虹集團2018技術研討會在錫舉行,華虹半導體(無錫)有限公司一期樁基工程同步啟動。
代市長黃欽出席研討會並致辭。
中國科學院院士鄒世昌、中國工程院院士許居衍,中科院微電子所所長葉甜春,華虹集團董事長張素心,副市長、高新區黨工委書記王進健,市政府秘書長許立新等參加活動。
據了解,華虹無錫集成電路研發和製造基地項目占地約 700 畝,總投資 100 億美元,一期項目總投資約 25 億美元,新建一條工藝等級 90-65 納米、月產能約 4 萬片的 12 英寸特色工藝集成電路生產線,支持 5G 和物聯網等新興領域的應用。
華虹無錫基地項目將分期建設數條 12
英寸集成電路生產線。
首期項目實施後,將適時啟動第二條生產線建設。
Doit半導體製造方面的專家指出:目標產品不同,所需要的工藝製程技術不同。
如此,就可以理解Fab 6工廠的28-14nm工藝技術,到了Fab
7反而只有90-65nm了。
專家表示,對於5G和IoT晶片來說,90-65nm應該足夠應對了。
如今半導體晶片邏輯電路如果以金屬層為主,則工藝比較成熟,工藝製程就比較先進,Intel已經採用7nm工藝;但是如果是新工藝和材料,剛開始的製程工藝就不會太先進。
據了解。
華虹半導體(無錫)有限公司一期工程計劃將於 2019 年上半年完成土建施工,下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線並逐步實現達產,預計年產值將達 50 億元。
黃欽在致辭中說,無錫是中國集成電路產業的搖籃,多年來一直將集成電路作為戰略性新興產業發展的重點,不斷強鏈、補鏈、延鏈,壯大產業集群。
去年,無錫共有各類集成電路企業200餘家,涉及集成電路設計、製造、封裝測試、配套設備與材料等多個領域,從業人員近5萬人,實現產值892.7億元,同比增長11%,產業發展水平已走在全國前列。
當前,隨著產業強市主導戰略的深入推進,無錫吹響了新一輪集成電路產業發展的「集結號」,在政策支持、金融支撐、服務企業等方面,制定了一系列扶持政策。
下階段,無錫將緊緊圍繞高質量發展目標要求,充分發揮集成電路產業的先發優勢,以更大的力度、更實的舉措、更優的服務,深化與以華虹集團為代表的國內外知名集成電路企業的合作,不斷提升集成電路產業發展的核心競爭力。
在昨天召開的華虹集團技術研討會上,業界客戶、供應商雲集,共同分享了華虹提升工藝技術、拓展應用領域和製造基地的「芯」路歷程。
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