三大記憶體罕見同時缺貨；三星DRAM再漲10%

DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大內存持續供貨短缺，創下史上罕見同缺記錄。

其中DRAM和NAND內存，更寫下史上最長漲勢。

內存業界表示，2008及2015年都出現過DRAM大漲，但多是因跌深或供貨商發生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash產能會排擠，很少看到兩大內存同漲。

這次DRAM和NAND內存兩大內存缺貨超乎預期且價格上漲，主要來自數據中心、移動設備及計算機三大領域應用需求強，前三大廠包括三星、SK海力士和美光等也未增建新廠，造成供貨緊縮，DRAM與NAND同時大漲，漲這麼久，已寫下史上最長紀錄。

除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美國二大供貨商淡出，加上OLED面板必須導入作為儲存保持OLED面板顏色飽和度參數，以及物聯網及車用半導體等新應用大增，市場供應到明年都處於缺貨。

近期全球DRAM龍頭韓國三星電子通知相關電子委託製造廠，計劃調漲第4季移動內存合約價，漲幅近一成，反映DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預期心理，漲勢可望延續至今年第4季。

不少分析師預期DRAM價格將在本季創高峰，但受到美光桃園N2廠氮氣廠純化設備毀壞影響，DRAM缺貨不僅短期難解，價格漲勢也超乎預期。

7月DRAM合約價單月漲幅達4.6%，雖然美光桃園N2廠已陸續恢復生產，美光也計劃在未來幾個月增產，彌補這段時間生產線影響的缺口。

但據調查，美光桃園N2廠這次受損及報廢的12寸DRAM晶圓估計達5萬片，且多數以供貨給蘋果手機和相關伺服器用的低功耗移動DRAM，給全球最大移動內存供貨商三星填補缺口的機會，並決定在第4季各大手機和移動設備備貨旺季，調漲移動內存售價。

關鍵零組件缺貨，聯發科也受到波及

今年以來受到部份零組件缺貨影響，連帶讓二、三線智慧型手機品牌業者拿不到貨，往年非苹業者希望搶在蘋果新機發布前先上市以搶攻市占率，今年第3季也受到零組件缺貨影響，讓聯發科旺季不旺，單季出貨恐低於預期、難達高標。

聯發科對於客戶供貨狀況不予評論。

今年因內存、被動組件、MOSFET供貨吃緊，嚴重影響到大陸二、三線智慧型手機品牌出貨數量。

法人表示，雖外傳大陸智慧型手機市場都在庫存調整階段，但這僅限於華為、OPPO及Vivo等一線品牌，二線及三線對於第3季零組件需求的搶貨大戰早已悄悄開打。

供應鏈指出，一線品牌幾乎直接跟原廠綁訂，幾乎不會出現缺貨問題，二線及三線智慧型手機只能向代理商拿貨，在供給端產能全被包下影響，只能延遲手機出貨。

根據中國信息通信研究院數據，中國智慧型手機上半年出貨量2.26億部，年減3.9％，新型智慧型手機款式也年減3成左右。

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