海力士今年將量產36層堆棧的3D NAND及16nm TLC

Samsung在2014年嬴了全球SSD市場，Intel、Sandisk、Micron、Toshiba也位列前五，唯獨SK Hynix位列第十，SSD營收比Seagate、WD還低。

不僅是NAND Flash，就連DRAM產業，SK Hynix也被Samsung遠遠甩在了後面，現在SK Hynix準備奮發圖強，今年量產36層堆棧的3D NAND Flash，還有16nm工藝的TLC NAND Flash，DRAM也加速推進10nm工藝。

Samsung這兩年獲得更高的NAND及DRAM市場占有率主要是靠技術推動，他們去年就率先量產了V-NAND技術的3D NAND Flash，Samsung之外的其他公司要到今年才開始生產。

SK Hynix表示他們去年成功開發了24層堆棧的3D NAND Flash，今年也準備大規模量產3D NAND Flash了，首次量產的則是36層堆棧的3D NAND Flash，今年底還會準備48層堆棧的3D NAND Flash量產工作。

Samsung量產的V-NAND Flash是32層堆棧的，不過今年下半年也準備量產48層堆棧的，Intel/Micron公布的3D NAND快閃記憶體也是32層堆棧的，更多層堆棧的也在研究之中了。

Toshiba、Sandisk也在日本四日市新建Fab 2工廠，預計2016年才會大規模量產3D NAND Flash。

除了3D NAND Flash，SK Hynix也會繼續加強傳統的平面 NAND Flash，很快會推出16nm TLC NAND Flash，並在Q2季度將TLC NAND Flash產能提升到10%的比例，今年底達到40%的比例。

此外，Q3季度他們還會推出16nm TLC NAND Flash的SSD，並會把TLC SSD的比例提升到20-30%。

DRAM方面，三星的20nm工藝已經大規模量產了，SK Hynix還需要不斷提升產品。

位於韓國京畿道省利川市的M14 DRAM晶圓廠已進入最終階段，半導體設備已經準備好了，預計從年底開始運營。

一旦開始正式生產，其產能將達到每月1.5萬片晶圓。

不過SK Hynix在技術上還有點落後，他們預計要到明年6月份才能提供10nm工藝的DRAM樣本，而三星已經準備量產10nm工藝DRAM了。

(完)

來源：雅虎香港

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