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三星28nm FDSOI製程晶片投產

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根據法國Soitec SA旗下《Advanced Substrate News》期刊報導，三星(Samsung)正為意法半導體(STMicroelectronics；ST)投產28nm全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)晶片，而且還有其他客戶也正排隊等候中。

ST是該技術的開發公司。

該報導中還訪問了三星代工業務資深行銷總監Kelvin Low以及三星半導體(歐洲公司) System LSI業務總監Axel Foscher。

而法國Soitec SA則提供了量產FDSOI所用的SOI晶圓。

全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)

Low表示，三星已經在2015年間展開幾項多專案晶圓(MPW)服務了，預計在2016年還將推出更多計劃，此外，三星還打造IP核心的實體設計套件(PDK)與平台，現在也已經可用了。

除了ST與飛思卡爾(Freescale)以外，Low並未透露哪些FDSOI客戶，但表示將有更多經營「所有細分市場的客戶，尤其是物聯網(IoT)等成本與超低功耗組合至關重要的領域。

」Low並預計，FDSOI晶片將出現在2016年的消費性電子產品中，而如果想滲透至通訊基礎設施、連網與汽車電子等領域的話，預計還有更長的路要走，因為這些領域存在更嚴苛的性能要求。

他並表示，「每個人都在等待Chipworks或TechInsights拆解採用FDSOI的終端產品。

但這只是時間的問題罷了。

」

同時，格羅方德(Globalfoundries)正研發基於22nm最小几何設計規則的製程，可實現低至0.4V的低功耗，較三星的製程領先約一年的時間。

編譯：Susan Hong

(參考原文：Samsung Running 28nm FDSOI Chip Process，by Peter Clarke)

來源： eettaiwan

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