光刻技術有如人類的印刷術一樣重要，被譽為人類20世紀的發明奇蹟之一。

光刻機是製造大規模集成電路的重要設備，光刻機將人們事先設計好的電路圖縮微投射到矽膠底片上，雷射進行蝕刻操作，將電路線路進行縮微蝕刻到矽膠底片上，此過程要求極為精密。

有專家比喻，整個光刻機的3萬多個機械零件都要可靠才能保證光刻機的性能和精度，光刻機里有兩個同步運動的工件台，一個載底片，一個載膠片，兩者要始終同步，誤差不能超過2納米，兩個工作檯由靜到動，加速度跟飛彈發射差不多。

就如兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進，一架飛機上伸出一把刀為另一架飛機上的米粒上刻字，稍有誤差，整個流程就會全部報廢，前功盡棄。

而目前世界上只有荷蘭的ASML能夠製造高級別光刻機，能夠滿足現代級別的精度要求，全球市場有有率90%以上，是光刻機的世界級老大。

我國上海微電子裝備有限公司（SMEE）雖然也可以製造光刻機，但由於西方國家長期對我國實行的技術封鎖，SMEE只能製造中低端光刻機產品，根本無法滿足越來越精細的十納米級超大規模集成電路的設計製作的需求，嚴重製約著我國的集成電路晶片產業向更高層次跨越，只能全部依靠進口，2017年我國僅進口晶片就花了1.5萬億人民幣。

我國在該光刻技術上並非落後於某一個國家，而是在與整個西方的高端精密製造實力相較量。

2011年，隨著我國「12.5」對半導體行業扶持計劃的全面啟動，我國科研院所相繼開展了22nm、14nm、10nm納米等極大規模集成電路研究，並同步啟動最新的CMOS集成電路的研發工作。

2016年，清華大學的「光刻機雙工件台系統樣機研發」項目通過驗收，關鍵技術指標已達到國際同類光刻機雙工件台水平。

另有消息稱，由長春光機所承擔的「極紫外光刻關鍵技術研究」項目也已順利完成驗收，意味著我國已經掌握了被稱為是下一代光刻技術EUV，計劃2030年實現EUV光刻機國產化。

隨著我國光刻機技術與世界的差距不斷縮小，世界光刻巨頭ASML宣布對我國開放購買最先進的光刻機權限，2017年，ASML總裁甚至親自來中國市場推銷銷其最先進的光刻機，提前十幾年布局和占領我國光刻市場。

他還透露，目前已有大陸晶圓廠巨頭與ASML展開7納米工藝製程的EUV訂單洽談，2019年首台EUV光刻機可望落地中國。

EUV光刻機的使用，意味著我國的半導體晶片產業將會達到一個新的高度，走上一條與半導體世界同步的發展之路，共同進入半導體晶片7nm、5nm時代。

在SMEE成立15年後，我們為終於能夠買到世界上最先進的EUV光刻機而感到高興的同時，卻又不得不反思，為什麼他們以前對我們禁運？現在又要賣給我們呢？當年我們準備研製大飛機時，我們就有了採購波音大飛機的權利，當我們擁有了自己的空間站時，他們又來和我們合作航天技術。