【業內熱點】富士康投資50億建設高功率晶片工廠，半導體版圖漸顯

富士康深耕半導體產業的意圖已經越來越明顯，在業界近期討論富士康擬在珠海建晶圓廠傳聞之時，富士康在濟南的高功率晶片工廠項目似乎已悄然開工。

事實上，早於2017年4月就有媒體盛傳，為收購東芝晶片業務，富士康內部正在悄悄調整組織架構，積極建置新的S次集團主攻半導體，並由原先擔任B次集團總經理的劉揚偉出任S次集團總經理，主導S次集團的運作。

如今看來，雖然收購富士康東芝晶片業務敗北，但S次集團卻真的成立起來。

據悉，富士康內部原本已有從A到M共11個次集團（F次集團和G次集團合併成FG次集團），因此新增的半導體次集團被稱為「S次集團」。

據台灣經濟日報去年6月報導，劉揚偉對外提及，富士康早於1994年就開始低調發展半導體領域，近一年對外以「S次集團」正式浮上檯面，並納入集團整體陸續發展的晶圓設備、封測、IC設計與服務等領域。

劉揚偉當時表示，富士康在半導體領域的擴張布局傾向以投資與收購的方式，將善用資源，「先求有、再求好」，促進半導體產業一條龍布局。

目前，富士康通過投資等方式已涉及產業鏈各環節：晶圓製造方面有夏普、IC封測方面有訊芯科技、IC設計與服務方面有虹晶科技和天鈺科技、設備方面有京鼎精密、帆宣等。

值得一提的是，富士康似乎對存儲器亦很有興趣，據劉揚偉透露，富士康已與SK集團長期策略聯盟合作，並證實台灣旺宏團隊曾與S次集團接觸過。

從富士康的種種舉措看來，其發展半導體的決心十足。

回到濟南。

今年2月，濟南市政府發布該市2019年市級重點項目安排，「富士康功率晶片工廠建設項目」赫然在列。

4月下旬，山東省公布一季度新開工重大項目清單，其中包括「富士康功率晶片工廠項目」，顯示該項目已在一季度落地開工，項目法人為濟南國資委旗下的濟南產業發展投資集團有限公司（以下簡稱「濟南產發集團」）。

該項目是濟南市引進的富士康高科技產業項目，主要為年產36萬片8寸矽基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件的工業廠房。

項目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建築面積24萬平米。

此外，3月15日濟南高新區管委會亦發布新聞稿稱，濟南臨空經濟區組織舉行富能高功率晶片生產項目樁基開工儀式。

文中消息顯示，該項目將建設8寸晶圓廠功率半導體器件（主要生產MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化矽器件的研發、生產基地，項目一期用地317.92畝，建築面積約24.5萬平方米，投資50.53億元。

濟南產發集團相關負責人曾向媒體介紹，2018年9月儒商大會中簽約的高功率晶片項目規劃占地面積630畝，規劃年產36萬片8寸矽基功率器件和12萬片6寸SiC功率器件，該項目輕資產公司濟南富能半導體有限公司已於2018年11月註冊成立。

工商資料顯示，濟南富能半導體公司法定代表人為陳昱升，陳昱升與濟南富傑產業投資基金合夥企業（有限合夥）各占股40%、60%，而後者則為富士康與濟南產發集團合作籌建。

綜合信息顯示，富能半導體有限公司或就是富士康與濟南約定促成落地的高功率晶片公司。

根據濟南高新區管委會消息，該項目開工之後，將於10月底完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。

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