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去年全球有3/4的DRAM來自韓國

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去年存儲器半導體市場迎來前所未有的榮景，「韓國半導體聯軍」創下佳績，三星以壓倒性優勢排名第一，SK海力士DRAM市占率突破3成，有預測指出，今年三星與SK海力士的市占率將進一步成長。

據《韓聯社》報導，市調公司DRAMeXchange於4日發表的數據指出，去年全球DRAM市場的銷售額達到996億5500萬美元，比前一年(717億2000萬美元)成長39%，創下歷史新高紀錄。



從企業別來看，三星電子的銷售額為437億4700萬美元，市占率為43.9%，維持著壓倒性的領先地位;SK海力士也緊追在後，銷售額達294億900萬美元，市占率為29.5%。

若將兩家企業一併來看，在全球DRAM市場占有率高達73.4%，這也代表著，全球DRAM的銷售額約有4分之3是由這兩家韓國企業所貢獻的。

值得注意的是，SK海力士去年第四季的市占率為31.2%，和排名第三的美國美光(23.5%%)拉大了差距。

反觀三星電子第四季市占率雖然有41.3%，但比起前一年的46.0%有所下滑。

DRAMeXchange預測，今年整體市場的銷售預估值比起去年減少17.5%達822億4700萬美元，但「韓國半導體聯合軍」在存儲器市場的市占率還會進一步提升，其中三星電子和SK海力士的市占率會成長至44.9%、29.6%。

另一方面，去年全球NAND快閃記憶體市場銷售額為632億1000萬美元，首次超過600億美元，也創下新紀錄。

三星電子的銷售額為221億900萬美元，市占率為35.0%排名低一，之後依序是東芝(19.2%)、西部數據(14.9%)、美光(12.9%)、SK海力士(10.6%)等。

若將三星電子和SK海力士合併來看，市占率合計為45.6%，與前一年47.2%相比有所下降。

業內相關人士表示，去年全球的NAND快閃記憶體市場有一半都是「韓國品牌」，多虧預先的設備投資和研究開發(R&D)的力量，預計短期內將持續創造技術差距。

他也補充，在SK海力士繼去年底NAND快閃記憶體專用生產線清州M15竣工後，接著會持續擴大投資，繼DRAM之後NAND快閃記憶體領域也有可能躋升為第2名。

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