CORONUS系列產品

在關鍵站點插入晶邊清洗製程，可消除這些可能的缺陷來源並製造出更多良好的晶片。

透過精確控制並結合可保護有效晶粒區域的靈活電漿技術，Lam Research的Coronus®晶邊清洗 ... 跳轉至內容 CORONUS系列產品 CORONUS系列產品 Products PlasmaBevelClean AdvancedMemory,Interconnect,Patterning,Transistor 晶邊清洗可在製程步驟之間把晶圓邊緣上不要的罩幕(mask)、殘留物和薄膜去除。

如果不清洗乾淨，這些物質會成為缺陷的來源。

例如，它們會在隨後的製程中剝落並再沉積到元件區域。

即使只有單一微粒落在元件的關鍵區域上，也可能毀掉整個晶片。

在關鍵站點插入晶邊清洗製程，可消除這些可能的缺陷來源並製造出更多良好的晶片。

透過精確控制並結合可保護有效晶粒區域的靈活電漿技術，LamResearch的Coronus®晶邊清洗系列產品可清洗晶圓邊緣，進而提高晶粒良率。

IndustryChallenges 晶片製造商越來越關注於縮小晶圓邊緣排除(edgeexclusion)區域，作為增加晶圓周邊良好晶粒的重要策略，使晶邊清洗工程成為開發團隊的重要考量。

晶圓邊緣的機械磨損或薄膜堆疊層的應力，可能會造成薄膜剝離並再沉積到晶圓的表面上，因而影響良率。

對於浸潤式(immersion)微影技術，邊緣完整性(integrity)至關重要，因為邊緣上的缺陷會蔓延到整個晶圓，而導致良率偏差(yieldexcursion)。

為了解決這些問題，晶圓晶邊區域的清洗步驟有助於避免晶圓邊緣區域成為影響良率的缺陷來源。

KeyCustomerBenefits 透過選擇性地去除晶圓邊緣不要的材質，可有效提升良率 利用專有的電漿隔離(plasmaconfinement)技術來保護有效晶粒區域 原位(Insitu)移除多重材料的薄膜堆疊層與殘留物，可以確保高生產力 業界唯一可清除α-碳膜和高含碳量殘留物的晶邊清洗產品， 金屬膜去除可防止後續的電漿蝕刻製程產生電弧(arcing) ProductOfferings Coronus® Coronus®HP KeyApplications 淺溝槽隔離(STI)、閘極、中段(MOL)、以及後段(back-of-line)製程的蝕刻後處理製程(post-etch) 沉積前和沉積後處理製程(pre-andpost-deposition) 微影前(pre-lithography)處理製程 金屬膜去除 ©2021LAMRESEARCHCORPORATION.ALLRIGHTSRESERVED. circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinlogomenupdfplant2searchtwitteryoutube close 公司 公司概述 公司概述 使命、願景、核心價值 領導團隊 董事會 公司歷史 LamCapital 企業社會責任 企業社會責任概述 環境健康與安全 供應鏈 英國現代奴隸法案 子公司 Coventor Silfex 公司位置 產品 產品概述 解決方案 製程 薄膜沉積 電漿蝕刻 光阻去除與晶圓清洗 質量測量 產品 客戶服務 客戶服務概述 客戶服務概述 服務 零件備品 功能升級 Reliant系統 技術訓練 MyLam 職業生涯 職業生涯概述 企業文化與員工福利 企業文化 員工福利 職涯發展 多元化 大學計畫 實習計畫 應屆畢業生計畫 搜尋工作 投資者 投資者概述 InvestorRelationsOverview 活動與簡報 公司治理 聯繫投資者關係 問答集 財務資料 每季盈餘 年報和代理機構訊息 SEC文件 美國國稅局表格8937 股票訊息 股票報價和圖表 歷史股票查詢 股利歷史 分析師報導 投資者資源 股東服務 資料索取 電子郵件提醒 新聞室首頁 新聞室首頁 新聞發佈 部落格 Languages 英語 德語 簡體中文 日語 韓語 繁體中文 MyLamLogin