直流磁控濺鍍
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與直流濺鍍之原理、概念相同，為了提高直流濺鍍的沉積率，另外於靶材表面外加磁場如下圖，使高能量離子撞擊待鍍靶材後，產生 ... 磁控濺鍍的缺點：靶材耗損速度提高。
直流磁控濺鍍
與直流濺鍍之原理、概念相同，為了提高直流濺鍍的沉積率，另外於靶材表面外加磁場如下圖，使高能量離子撞擊待鍍靶材後，產生的二次電子拘束於靶材附近，以螺旋狀的軌跡在靶材表面移動，以提升高能量離子產生後撞擊靶材的機會，高能量的離子撞擊靶材數目，提高濺鍍效率。
磁控濺鍍的優點：鍍膜效率提高。
磁控濺鍍的缺點：靶材耗損速度提高。
真空濺鍍
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相關文獻指出以濺鍍法(Sputter)[11-13] 鍍. 製的TiO2 薄膜能改善這些缺點。 本研究分別使用直流(direct current, DC)磁控濺鍍及高功率脈衝磁控濺.
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以磁控射頻濺鍍的方式在玻璃上鍍鋁，使同學了解濺鍍流程。 實驗原理：. 直流濺射鍍膜系統. 直流濺射鍍膜系統基本上是在高真空環境中充入工作氣體（一般為氬氣），.
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但使用此法最大的缺點就是會大大降低濺鍍速率，由於. 距離拉遠的關係，使濺起的原子可以的達基材表面的機率大大降低，如圖1-3 所示. [8]。 Page 16. 6. 晶座. 靶材. 晶片.
