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濺鍍的原理(Principle). 於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正 ... UVAT友威科技股份有限公司 HOME 繁體中文 简体中文 ENGLISH 關於友威 集團介紹 產品服務 設備服務 代工服務 技術與能力 投資人服務 利害關係人專區 人力資源 聯絡我們 Home 技術支援 技術辭典 TECHNOLOGY 技術辭典 產品製程 技術支援技術辭典 濺鍍(Sputtering) 濺鍍（sputtering）是利用電漿（plasma）對靶材料進行離子轟擊（ionbombardment），而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射出來，到達欲沉積的基板上，經過附著、吸附、表面遷徙、成核等過程之後，於基板上成長形成薄膜。

濺鍍的原理(Principle) 於一密閉製程真空腔體內部通入Argon惰性氣體，於靶材表面及基板間施加一高電壓，此一高電壓將Argon氣體游離為Argon正離子(Ar+)，此時Argon正離子(Ar+)被加速至陰極撞擊靶材表面，靶材表面原子及二次電子被擊出，靶材原子移動到達基板表面進行薄膜成長，而二次電子被加速至陽極途中促成更多的Ar氣體游離。

磁控濺鍍(Magnetronofsputteirng) 於濺鍍源(cathode)內加裝磁控裝置，藉著磁場與電場間的電磁效應，所產生的電磁力來影響電漿內電子的移動，使得電子將進行螺旋式的運動。

由於磁場的介入，電子將不再是以直線的方式運動。

螺旋式的運動將使得電子從電漿裡消失前所行經的距離拉長，因此增加電子與氣體分子間的碰撞次數，而使得氣體分子離子化的機率大增，便有更多的離子撞擊靶材，濺射出更多的靶原子沉積於基板上，因此磁控濺鍍源(cathode)可大幅提昇濺鍍時的鍍膜速度。

電漿(Plasma) 電漿是指由諸多離子、電子、分子、及原子團所組成的部份離子化氣體電漿的產生可經由在低壓下（l00mTorr~數個mTorr之間）對兩個電極之間施加高電壓，而在兩電極之間形成一個高電場。

兩電極板之間帶正電荷的氣態離子藉著此一電場而加速前往帶負電的電極板面上轟擊，因此會產生很多不同的粒子，其中包含了二次電子。

而這些遭轟擊出來的二次電子也在電場加速下，往帶正電的電極板方向前進，在途中，將會與電極板之間的其他氣態粒子產生多次的碰撞，產生解離、激發或離子化的反應。

因離子化反應的離子將如前述一樣，在電場的加速下，獲得極大的能量，而對陰極板板面進行轟擊，而產生二次電子。

因此，此時兩電極板之間離子與電子的關係，就此綿綿不絕的延續下去，類似崩潰（breakdown）的連鎖反應使得在低壓氣氛下產生大量的離子與電子而形成電漿態。

電漿內包含了帶正電的離子、帶負電的電子與中性原子，故永遠保持在電中性的狀態。

乾蝕刻(DryEtching) 乾蝕刻是以電漿蝕刻(PlasmaEtching)，而非濕式的溶液，電漿中離子的物理性轟擊(PhysicalBomboard)， 活性自由基(ActiveRadical)與元件(晶片/基板)表面原子內的化學反應(ChemicalReaction)， 或是兩者的複合作用，可分為三大類： 一、物理性蝕刻：(1)濺擊蝕刻(SputterEtching)(2)離子束蝕刻(IonBeamEtching) 二、化學性蝕刻：電漿蝕刻(PlasmaEtching) 三、物理、化學複合蝕刻：反應性離子蝕刻(ReactiveIonEtching簡稱RIE) 友威科技股份有限公司http://www.uvat.com TEL:+886-3-212-6201FAX:+886-3-212-6202E-mail:[email protected] Copyright©2020UVATTechnologyCo.,Ltd.AllRightsReserved.友威科技著作權所有保留一切權利