GAMMA系列產品
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光阻去除製程對最終的元件效能至關重要,必須確保對關鍵尺寸(CD)的影響最小,並將元件材料的損耗降至為零。
Lam Research已通過生產驗證的GAMMA®系列產品配備了廣泛的電漿 ...
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DryStrip
AdvancedMemory,Interconnect,Patterning,Transistor
光阻去除製程是用來移除光阻以及其它製程留下的各種殘留物。
電漿下游的製程也可用來調節晶圓表面,以為其提供後續製程所需的特定特性。
光阻去除製程對最終的元件效能至關重要,必須確保對關鍵尺寸(CD)的影響最小,並將元件材料的損耗降至為零。
LamResearch已通過生產驗證的GAMMA®系列產品配備了廣泛的電漿下游的製程,可為各種關鍵的晶圓處理應用提供所需的製程靈活性。
IndustryChallenges
隨著半導體產業移轉至採用超淺接面、多重曝光(multiplepatterning)、超低k值介電層以及3D結構等技術,光阻去除製程需要能有效地處理更複雜的元件結構。
在電晶體層級,光阻去除製程對薄膜造成的微小改變有可能會影響接面電阻、接面深度以及摻雜劑活化(dopantactivation)等特性,進而影響元件效能。
而對互連結構來說,低k值介電層特性的非預期改變亦會影響元件效能。
光阻去除製程還會對先進記憶體中使用的材料產生負面影響。
這些考量推動了適用於先進技術節點的新式光阻去除製程的發展。
而新的光阻去除製程面對的挑戰包括,必須能夠去除殘留物、最小化氧化與矽晶損失,以提供無損壞(damage-free)的結果,同時還要兼顧高生產力與低擁有成本。
KeyCustomerBenefits
透過可獨立控制溫度、RF功率以及化學品的多站序列式處理(MSSP)架構,能在相同平台上以最大的彈性與生產力進行多重製程步驟
透過增強的離子源技術(sourcetechnology)並結合更快速晶圓加熱,能以高生產量為主塊體光阻去除(bulkstrip)以及離子植入製程的光阻去除(implantstrip)提供無殘留光阻的結果
利用可執行多種應用與化學品的單一系統機台,達成超低的缺陷率效能
ProductOfferings
GAMMA®xPR
GAMMA®GxT®
KeyApplications
高劑量離子植入光阻去除(HDIS)
主塊體光阻去除
殘渣清除(Descum)
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