反應離子刻蝕- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
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反應離子刻蝕
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無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備
反應離子
延伸文章資訊
- 1鍍膜後以電漿離子轟擊技術改善新穎CrAlSiN硬質薄膜之機械
仍在於電漿離子轟擊處理對薄膜具有等同冶金熱處理的效. 果，薄膜因電漿離子轟擊熱處理後產生晶粒成長、應力釋放. 等現象。未經CrAlSiN 硬質薄膜的硬度 ...
- 2第二章基本原理
(2)離子轟擊(Ion Bombardment). 在輝光放電過程中氣體產生的帶正電荷離子受陰極負電壓吸引. 而衝向陰極(靶材)表面，靶材表面經此撞擊後，部份粒子被濺射出，.
- 3Chap9 蝕刻(Etching)
離子轟擊. ◇當對一個處於低壓狀態下的. 容器內氣體施以電壓，原本. 中性的氣體分子將被激發或 ... 反應性離子蝕刻法（Reactive Ion Etch，RIE），介於濺擊.
- 4Plasma
電荷的離子氣體. •. 電漿是由中性原子或分子、負. 電（電子）和正電（離子）所. 構成. • 在大部分的電漿 ... 離子轟擊(Ion Bombardment). 18. 直流偏壓與射頻功率 ...
- 5友威科技股份有限公司::濺鍍,蝕刻,鍍膜,真空設備,電漿蝕刻,乾 ...
濺鍍（sputtering）是利用電漿（plasma）對靶材料進行離子轟擊（ion bombardment），而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射出來， ...
