類比電路元件讀書會 - 心得報告
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在這個公式，我們可藉雜質的摻雜濃度來求得內建電位，利用內建電位反求電場與空乏 ... 這是一個PN接面外加電位的圖形，及電流與偏壓曲線圖. 類比電路元件讀書會 PNjunction 第二次 時間：7月3號9:00-12:30 地點：教育館102 內容：P-Njunction 導讀人：謝宗揚 成員：劉冠言、朱奕學、楊毓群 紀錄：劉冠言 一、討論記錄： 1. Thefemi-levelofP-Njunction 以下將用圖示表現P-type與N-type的接面過程 在接觸前的能帶圖形
延伸文章資訊
- 1PN 接面_百度文库
保持平衡下，此電位未產生電流Example 1.5 求內建電位障。 ... 可發現在室溫下，矽的本質載子濃度約為ni=1.5×1010cm-3 帶入公式可求得V bi ?
- 2Chapter 1 半導體元件及基本運用
Depletion Region)，產. 生一個電位差，稱為內建電位障(Built-In Potential Barrier).
- 3PN接面- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
在兩種半導體中間位置形成一個由N型半導體指向P型半導體的電場，稱為「內電場」 ... 在p端與n端均摻雜1e15/cm3水平，導致內在電位~0.59 V。空乏厚度的降低 ...
- 4三、二極體原理及電路模型
重. 複電場及電位的計算可得，內建電位和空乏區寬度的三次方成正比。 一般而言，pn接面的接面電容可以寫為： m bi. D.
- 5內建電位| 科學Online
內建電位. 正向偏壓. 2016/11/10. 正向偏壓 沒有迴響. 正向偏壓(Forward Bias) 國立臺灣大學物理學系簡裕峰. 於半導體中，將外加電場施於特殊的兩極上，以達到 ...
