磊晶(晶體) - 維基百科,自由的百科全書 - Wikipedia

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磊晶(晶體) 維基百科,自由的百科全書 跳至導覽 跳至搜尋 「磊晶(晶體)」的各地常用別名中國大陸外延港臺磊晶[1] 磊晶(英語:Epitaxy),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。

此技術又稱磊晶成長(EpitaxialGrowth),或指以磊晶技術成長出的結晶,有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。

磊晶技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件,尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓(英語:Epitaxialwafe



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