冷電漿體- 維基百科,自由的百科全書
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冷電漿體(英語:cold plasma)是電離率小於10%的電漿體。
其電子溫度遠大於離子溫度,屬於非熱平衡電漿體。
用低溫電漿體可以對材料表面進行改性處理。
冷電漿體
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冷電漿體(英語:coldplasma)是電離率小於10%的電漿體。
其電子溫度遠大於離子溫度,屬於非熱平衡電漿體。
用低溫電漿體可以對材料表面進行改性處理。
[1]
發生技術[編輯]
產生低溫電漿體的手段很多,可用紫外輻射、x射線、電磁場、加熱等方法。
實驗室和工業產品大都採用電磁場激發電漿體,如直流輝光放電、射頻放電、微波放電和介質阻擋放電(DBD)等。
[2]
應用[編輯]
表面處理[3]
製備奈米顆粒
電漿體滅菌
參考文獻[編輯]
^孟月東;鍾少鋒.低温等离子体技术应用研究进展.物理.2006,35(2):140–146. 引文使用過時參數coauthors(幫助)
^任兆杏;丁振峰.低温等离子体技术.自然雜誌.1996,(04). 引文使用過時參數coauthors(幫助)
^陳杰瑢.低温等离子体化学及其应用(PDF).北京:科學出版社.2001[2021-06-23].ISBN 7-03-008225-7.
取自「https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=冷等离子体&oldid=66226470」
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