電容的串並聯計算方法 - 今天頭條

電容串聯後容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。

計算公式是：C1*C2/(C1+C2). 電容並聯後容量是增大了，並聯耐壓數值按最小的計算。

首頁 亞澤科技 電容的串並聯計算方法 2019-11-01  亞澤科技 電容串聯後容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。

計算公式是：C1*C2/(C1+C2)電容並聯後容量是增大了，並聯耐壓數值按最小的計算。

計算公式是：C1+C2串聯分壓比——V1=C2/(C1+C2)*V........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此並聯分流比——I1=C1/(C1+C2)*I........電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下電容的串並聯容量公式-電容器的串並聯分壓公式1.串聯公式：C=C1*C2/(C1+C2)2.並聯公式C=C1+C2+C3補充部分：串聯分壓比——V1=C2/(C1+C2)*V........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此。

並聯分流比——I1=C1/(C1+C2)*I........電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下。

一個大的電容上並聯一個小電容大電容由於容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式製作，這就導致了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯電感，英文簡稱ESL）。

電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。

而一些小容量電容則剛剛相反，由於容量小，因此體積可以做得很小（縮短了引線，就減小了ESL，因為一段導線也可以看成是一個電感的），而且常使用平板電容的結構，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由於容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。

所以，如果我們為了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過，就採用一個大電容再並上一個小電容的方式。

常使用的小電容為0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當頻率更高時，還可並聯更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。

而在數字電路中，一般要給每個晶片的電源引腳上並聯一個0.1uF的電容到地（這個電容叫做退耦電容，當然也可以理解為電源濾波電容,越靠近晶片越好），因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變小（R＝1/jwc）,但理想的電容是不存在的，由於電容引腳的分布電感效應，在高頻段電容不再是一個單純的電容，更應該把它看成一個電容和電感的串聯高頻等效電路，當頻率高於其諧振頻率時，阻抗表現出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時電容就好比一個電感了。

相反電感也有同樣的特性。

大電容並聯小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在於電容的自諧振特性。

大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號，小電容濾高頻（自諧振頻率高），大電容濾低頻（自諧振頻率低），兩者互為補充。

電容的並聯電容並聯電路：由電容的伏安特性與KCL可知：兩電容並聯的等效電容等於兩電容之和，即：公式推導由電容元件的伏安特性可得：∵ ∴兩電容並聯的等效電容等於兩電容之和。

電容並聯電路的分流關係流過兩個相併聯電容上的電流與電容的容量成正比，電容越大，分得的電流越大。

公式推導∵由於並聯電容兩端的電壓相同，∴即多個電容並聯時的情況，以上結論可推廣到如圖n個電容相併聯時的情況： 文章來源:https://twgreatdaily.com/L0kiMm4BMH2_cNUgUxeL.html 貼片電感在設備使用中要注意哪些事項？ 2019-12-13 關於ESR的基本認知 2019-11-21 開關電源對電解電容器性能的基本要求 2019-11-15 電解電容器主要材料分析 2019-11-07 電容的串並聯計算方法 2019-11-01 巨大替代市場是LED照明企業的「強心劑」 2019-10-25 韓國三瑩電容器質量如何 2019-10-24 鋁電解電容的結構和主要加工環節 2019-10-11 農村變電所並聯電容器損壞事故分析及改進 2019-10-11 電源設計中的電容應用實例 2019-10-09 超級電容器儲能技術及應用 2019-10-09