雙束電漿離子束(Plasma FIB) - iST宜特
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2017-07-14bytanja
PlasmaFIB(P-FIB)原理與DualBeamFIB(DB-FIB)相似,差別如下:
離子源Xe(氙離子)PlasmaGa+(鎵離子)
蝕刻速率(Probecurrent)1.5pA~1.3μA1.1pA~65nA
DBFIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面,PFIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。
PFIB可大範圍面積快速執行,蝕刻速率提升20倍。
超過100um大範圍結構觀察,如何做Crosssection?晶片散熱膠(TIM)異常點難尋這一獨家檢測手法Defect速現形
iST宜特能為你做什麼
iST宜特建置業界新型FEIHeliosPlasmaFIB(簡稱PFIB),蝕刻速率提升20倍,配置高解析度的SEM,能在數百微米的大範圍內,精準定位出奈米尺度的特徵物或異常點。
若是小範圍且局部的剖面分析(CrossSection),仍建議使用DualBeam-FIB,邊切邊拍,讓您快速取得結構圖。
但大範圍結構觀察(剖面>100um或深度>50um以上),即推薦使用P-FIB,不但蝕刻速率快,又可避免使用傳統研磨的方式,因研磨應力產生的結構損壞與定位精準度問題。
案例分享錫球檢測完整呈現TSV結構大面積逐層去除
完整呈現錫球影像
亦可觀察局部
PlasmaFIB蝕刻效率佳,且範圍大,可快速且完整呈現多根TSV結構。
PFIB可以透過電漿蝕刻(PlasmaEtching)方式,完整且大面積的逐層去除。
應用範圍設備能量
大範圍的結構觀察(>100μm以上),包括:3DIC、矽穿孔結構(TSV)、錫球(Solderball)及銅柱(Cupillar)、封裝產品(WLCSPFA)等。
Delayer應用(16nm先進製程以下)。
FEIHeliosPlasmaFIB
E-beam解析度:1.0nm@2kV
I-beam解析度:
I-beam最大電流:1.3uA
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