finfet專利
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WO2014071664A1 - FinFET及其制造方法- Google Patents该FinFET的制造方法，包括：在半导体衬底上形成用于限定半导体鳍片的开口； 形成栅极 ... 3、发明名称为"FinFET及其制造方法"的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用 ... 在如图所示的示例中，第一栅极导体104相对于衬底101的偏压V gl— sub=-lV。
... US7560785B2 * 2007-04-27 2009-07-14 Taiwan Semiconductor ...專利情報： 南韓KAIST啟動FinFET專利戰要求三星、高通支付授權金 ...2016年12月2日 · 圖、南韓KAIST啟動FinFET專利戰. Source: KAIST FinFET. 南韓科學技術研究院（ KAIST）專利智財管理子公司KAIST IP於2016年11月29日，向 ...專利情報： 韓KAIST之FinFET專利戰火燒向Apple - 科技產業資訊室 ...2018年9月13日 · 關鍵字：南韓；KAIST；FinFET；專利侵權；Apple；晶片模組 ... facebook twitter wechat twitter. 圖、韓KAIST之FinFET專利戰火燒向Apple. 根據外媒報導，蘋果涉嫌侵犯南韓科學技術院（KAIST）的FinFET專利技術，南韓主管 ...中科院微电子所的FinFET专利，为何能让英特尔忌惮三分-搜狐新闻3 天前 · FinFET技术在半导体制程发展到22nm~5nm时发挥了重要的作用。
这项技术最早是由加州大学伯克利分校的胡正明在1999年提出来的，他也因此 ...中華民國專利檢索系統 - 經濟部智慧財產局沒有這個頁面的資訊。
· 瞭解原因台積電半導體製程競爭力關鍵：FinFET 工作原理- StockFeel 股感2020年7月16日 · 晶圓廠像台積電（2330-TW）、聯電（2303-TW），就是在矽晶圓上製作 ... 三星， 與台積電擁有成熟的鰭式場效電晶體（FinFET）製程與專利密 ...三星與KIP達成協議FinFET專利侵權案落幕 - 電子時報2020年9月15日 · 雖然先前半導體FinFET專利侵權案有越滾越大的傾向，但三星電子(Samsung Electronics)最終與KAIST IP(KIP)達成協議，結束為期4年的訴訟。
索賠2億元！中科院訴英特爾FinFET專利侵權案最新進展來了--知識 ...2020年8月13日 · 近日，國家知識產權局專利局復審和無效審理部（下稱復審和無效審理部） ... FinFET（Fin Field-Effect Transistor）中文名為鰭式場效應晶體管， ...中科院诉英特尔侵犯FinFET专利一案，再审-电子工程专辑2020年7月31日 · 近日，国家知识产权局专利复审委员会口头审理了FinFET发明专利的无效申请。
无效申请的请求人是英特尔（中国）有限公司，而专利权人为中国 ...金属切板1000mm×1200mm 銅板タフピッチ1000mm×1200mm 厚さ ...日韓oled專利戰開打：joled向三星電子提起專利... オーダー品の為、キャンセル不可となります。
予めご了承ください。
家登光罩盒訴訟演出逆轉勝：從賠償9 ...
