氮化矽薄膜

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本研究提 ... 1954 年，研究學者D. M. Chapin、C. G. Fuller 及G. L. Pearson 等人發表第一 ... 一層比基板折射率低的鈍化膜材料二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)、氟化鎂(MgF2) .薄膜電晶體之微晶矽及氮化矽薄膜特性研究| NCHU Institution ...氮化矽薄膜的沉積，除了調變NH3/SiH4的氣體流量比例、沉積壓力、射頻功率的大小外，極板到基板間距離（spacing）也是另一項重要調變參數，分析這些參數對氮 ... | 圖片全部顯示[PDF] 國立勤益科技大學化工與材料工程系碩士班 - 勤益科大機構典藏利用射頻磁控濺鍍法沉積氮化矽(Silicon Nitride, Si3N4)薄膜於聚亞. 醯胺(Polyimide , PI)基材上，以XS-PI 表示，說明如下：X 即為沉積Si3N4. 之厚度(以nm 為單位)，  ...[PDF] 國立中山大學電機工程學系碩士論文具有震動效果紅外線微機電氣體 ...圖3-4 紅外線微機電氣體感測器Proft-meter 氮化矽與二氧化矽高度差 ... 紅外感測器透過最上層氮化矽薄膜[10，22-26] 吸收紅外光，測量一氧化碳. 紅外光吸收率最佳4.7µm 波長 ... National Kaohsiung University of Applied Sciences, Kaohsiung, Taiwan, Jul. 2012. ... Ballet, F. L. Mathieu, J. O. Buffet, J. Rothman, J. J. Yon, E. Hadji,.