應變矽原理
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[PDF] Chapter 2 奈米金氧半電晶體2.1 簡介2-3，首先討論利用增加通道載子傳輸的新型材料所製成的金氧半電晶體，應變矽金氧. 電晶體(Strained-Si MOSFET)，這也將是下一世代金氧半電晶體的主流，將 ...[PDF] 一、簡介SOI）結合，成為矽鍺在絕緣層技術（SiGe on insulator，SGOI）和應變矽在絕緣 ... 之應變矽(strained Si)，其傳導載子遷移率大幅增加，將可有效提昇元件特性、及 ... G. L. Patton, S. S. Iyer, S. L. Delage, S. Tiwari, J. M. C. Stork, IEEE Electron.[PDF] 國立交通大學機構典藏- 交通大學Hsinchu, Taiwan, Republic of China ... 層或應變矽鍺(strained SiGe)層，來提供更好的載子傳輸(carrier mobility)特 ... 硬度與彈性模數的量測原理發展 ... [10] S.S Iyer, G.L. Patton, S.L. Delage, S. Tiwari, and J.M.C. Stork, Proceedings of the 2nd.博碩士論文行動網 - 全國博碩士論文資訊網另外，因為使用應變矽技術，使得傳統MOSFET的原理與模型（BSIM model， channel-resistance method）變得難以適用，論文中也提出解釋。
經由本研究發現， ...博碩士論文行動網論文摘要應變矽(Strained Silicon)運用於NMOS時，因矽受到張力應變會令其載子遷移率增加，故能夠提升NMOS的運算速度。
應變矽的產生方式主要有兩種，可分 ...[PDF] 劉傳璽博士李昌駿博士 - 國立臺灣師範大學先進應變工程於奈米電子元件之模擬與實驗驗證. Simulations ... 之模擬法，分析具有矽鍺通道結合接觸蝕刻終止層結構之n 型電晶體元件； ... 2.2.2 應變矽的物理機制. ... 法之基本原理為對於未知與待求出之解，利用已知之條件以求得近似於精確 ... [14] H. M. Chen, J. R. Hwang, Y. Li, F. L. Yang, “Novel Strained CMOS Devices.矽鍺- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia常被用作積體電路（IC）中的半導體材料，可做成異質結雙極性晶體管或CMOS電晶體中的應變感應層（strain-inducing layer）。
IBM公司於1989年在工業生產中引入 ...[PDF] 受外界機械應力下功率電晶體之電性分析及可靠度研究在第一章主要是闡述本研究動機，並對應變矽的發展做一回顧. 與整理。
第二章則對MOSFET 以及POWER MOSFET 的原理和結. 構進行理論分析。
第三章是對實驗 ...[PDF] 氮化矽之區域性應變對N型金氧半電晶體之影響 - 逢甲大學應力應變(strain)。
當矽受到應力作用之後，可提升其載子遷移率。
在. 金氧半場效電晶體中(MOSFETs)，使用應變矽做為元件之電流通道將. 可提高MOSFETs 的電流 ...[PDF] Untitled - 國研院台灣半導體研究中心首先是三篇運用繞射原理分析材料特性的專文，分別由. 陳東宏博士介紹穿透 ... 收斂電子束繞射，雙傾轉軸載台，菊池線，晶格應變，雙束. 條件，晶界差角 ... [12] T. W. Huang, H. Y. Lee, Y. W. Hsieh, and C. H. Lee, J. Crystal. Growth 237-239 ... [13] H. Wang, R. Bash, J. G. Yodh, G. L. Hager, D. Lohr, and S. M.. Lindsay, Biophys ...
