反應式濺鍍

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| 圖片全部顯示[DOC] 6 磁控濺鍍原理-------------------------------------6 中頻濺鍍 - 崑山科技大學本研究利用中頻反應性磁控濺鍍技術成長氮化鋁薄膜,藉由改變氮氣濃度(10%、20%、30%),固定底壓(1pa)、溅鍍功率固定(50w)、溅鍍時間固定(5min)、固定基板高度(6cm),溅鍍 ...[PDF] 利用射頻磁控濺鍍法於聚亞醯胺三氧化二鋁混成基材沉積氮化矽之 ...本研究利用射頻磁控濺鍍法(RF Magnetron Sputtering)製備氮化矽. (Silicon Nitride, Si3N4)薄膜做為氣體阻障層(Gas Barrier)。

首先,利用二胺(4,4'-oxydianiline, ODA)及 ...[PDF] 第二章文獻回顧2-1 磁控濺鍍技術由濺鍍原理可知,基板負偏壓的施加,對鍍膜過程有以下幾個作用:. (一)驅動電漿中氬離子(Ar+)對基板作轟擊效應,可達到再濺射作用. (re-sputtering)而排除薄膜沈積過程中之 ... | [PDF] 機械工程學系博士論文 - 國立交通大學機構典藏本研究以TiO2 半導體材料為靶材,分別使用直流(direct current, DC)磁. 控濺鍍及高功率脈衝磁控濺鍍(high-power impulse magnetron sputtering,. | NCU Institutional Repository-博碩士論文105232014 詳細資訊2019年1月29日 · 論文名稱, 探討利用射頻磁控濺鍍形成的鍺島之生長機制 (The growth mechanism of Ge islands by RF magnetron sputtering systems). 相關論文 ...


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