碳化矽、氮化鎵或其他？簡析第三代半導體產業發展現狀

來源：內容來自深圳微納研究院，謝謝。

技術創新是推動產業發展的永恆動力，以碳化矽、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑藉著其優異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等已開發國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，並展開全面戰略部署，欲搶占戰略制高點。

半導體發展概述

第一代半導體材料主要是指矽(Si)、鍺元素(Ge)半導體材料。

作為第一代半導體材料的鍺和矽，在國際信息產業技術中的各類分立器件和應用極為普遍的集成電路、電子信息網絡工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、矽光伏產業中都得到了極為廣泛的應用，矽晶片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。

第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb);三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP;還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半導體(又稱非晶態半導體)，如非晶矽、玻璃態氧化物半導體;有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。

第二代半導體材料主要用於製作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是製作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

因信息高速公路和網際網路的興起，還被廣泛應用於衛星通訊、移動通訊、光通信和GPS導航等領域。

第三代半導體材料主要以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(Eg>2.3eV)半導體材料。

以SiC等為代表的第三代半導體材料，將被廣泛應用於光電子器件、電力電子器件等領域，以其優異的半導體性能在各個現代工業領域發揮重要革新作用，應用前景和市場潛力巨大。

原文參考連結：

http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5MjY2OTAxNA==&mid=2662170097&idx=1&sn=c2120316e3b750f109f2d3a3899025bb&chksm=bdfb11c88a8c98de52f35784bc90b17b11537c1bc1e3fc8978805921948a0fb6b5969b1fb486&mpshare=1&scene=2&srcid=03042m4lGiEVndxCrcVSIS2G&from=timeline#rd

R

eading