內存供過於求壓力大，三星西安廠第二階段擴廠喊卡

韓國三星電子（Samsung）在中國西安半導體工廠擴廠計劃幾乎確定喊停，可能原因是擔心東芝、SanDisk 與英特爾等對手競相增產，三星此時若加碼投資，恐導致市場供給過剩更為嚴重。

三星西安半導體廠主要生產 3D 架構的 NAND 型快閃內存（Flash Memory），於 2014 年開始投產，韓國媒體 Business korea 引述知情人士消息報導指出，該工廠第二階段擴廠工程已延後至 2016 年某個時間或更晚。

由於三星西安半導體廠目前使用面積僅占預定地的五分之一，加上現有產能早已超出滿載，因此產業觀察家曾預期三星今年將如期執行擴廠工程，若非市況嚴重惡化，否則三星應不會拖延。

西安廠目前每月產出 10 萬片晶圓，遠遠超出原先設定 6-7 萬片的規模。

報導指出，東芝與合作夥伴 SanDisk 大規模增產 NAND 快閃內存，是讓三星投資緊急喊卡的主因，理由是東芝為三星在 NAND 快閃內存市場上最大競爭對手，量產結構也最穩定。

在此同時，美光與英特爾共同開發的新 3D NAND 快閃內存技術也積極準備進入量產，三星也擔心兩者可能會搶走中國數據中心的生意。

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