快訊:英特爾與美光研發出基於3D Xpoint架構的突破性存儲技術
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北京時間7月29日上午8點英特爾與美光全球同步發布:雙方共同研發最新的存儲技術--基於3D Xpoint架構快閃記憶體技術,這是一款突破性全新的(NON-V)非易失性存 儲器。
相對於目前的NAND超出1000倍的速度、超出1000倍的耐用性,此外,相比傳統存儲器,該存儲器技術的存儲密度也提升高達10倍。
(NAND是一種非易失性存 儲技術,即斷電後仍能保存數據。
)也是自1989 年NAND快閃記憶體推出至今的首款基於全新技術的非易失性存儲器。
交叉點結構實現高可擴展 獨特的材料實現了更高性能
3D XPoint 技術點包括:
交叉點陣列結構——垂直導線連接著 1280 億個密集排列的存儲單元。
每個存儲單元存儲一位數據。
藉助這種緊湊的結構可獲得高性能和高密度位。
可堆疊——除了緊湊的交叉點陣列結構之外,存儲單元還被堆疊到多個層中。
目前,現有的技術可使集成兩個存儲層的單個晶片存儲128Gb數據。
未來,通過改進光 刻技術、增加存儲層的數量,系統容量能夠獲得進一步提高。
選擇器——存儲單元通過改變發送至每個選擇器的電壓實現訪問和寫入或讀取。
這不僅消除了對電晶體的需求,也在提高存儲容量的同時降低了成本。
快速切換單元——憑藉小尺寸存儲單元、快速切換選擇器、低延遲交叉點陣列和快速寫入算法,存儲單元能夠以高於目前所有非易失性存儲技術的速度切換其狀態 。
3D Xpoint架構快閃記憶體未來應用
為資料庫提供大規模的內存應用,可以提供更快的系統恢復,同時提供更低延遲 更長耐久性。
應用環境比如機器學習、實時跟蹤疾病和身臨其境的8K遊戲等等
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