「碳納米管 晶片」美國宣布15億補助計算機晶片材料和設計研究

7月24日，美國軍方的國防高級研究計劃局（DARPA）宣布了一項總額為7,500萬美元的新補助計劃，旨在通過對碳納米管等新設計和材料的基礎研究，重振晶片產業。

在接下來的幾年裡，支持學術和行業科學家的DARPA計劃將在5年內每年增長到3億美元，總計15億美元。

矽電腦晶片已經推出了半個世紀，變得越來越強大。

但創新的步伐正在放緩。

7月24日，美國軍方的國防高級研究計劃局（DARPA）宣布了一項總額為7,500萬美元的新補助計劃，旨在通過對碳納米管等新設計和材料的基礎研究，重振晶片產業。

在接下來的幾年裡，支持學術和行業科學家的DARPA計劃將在5年內每年增長到3億美元，總計15億美元。

1965年，英特爾聯合創始人戈登·摩爾（Gordon Moore）發表的觀察結果成為他的同名「定律」：晶片上的電晶體數量每兩年增加一倍，時間範圍後來減少到每18個月一次。

小型化晶片的進步越來越困難。

有專家指出，只有少數幾家公司能夠負擔得起數十億美元的製造工廠，這些工廠製造晶片，扼殺曾經由小型創業公司主導的領域的創新。

一些大公司正在分工為特定任務設計專用晶片，這降低了他們為共享的競爭前基礎研究付費的動力。

DARPA正在努通過為研究人員提供補助力填補這一空白。

一個研究團隊正在使用由碳納米管製成的電晶體製作3D晶片，這種電晶體比矽電晶體更快更有效地開關。

今天有公司已經開始使用矽片製作3D晶片，以便將邏輯和存儲器功能緊密結合在一起，從而加快處理速度。

但晶片由於在晶片層之間傳輸信息的龐大且稀疏的布線而變慢。

並且由於2D矽晶片層必須在超過1000°C的溫度下單獨製造，因此無法在集成製造計劃中構建3D晶片同時不熔化下層。

碳納米管電晶體幾乎可以在室溫下製造，為密集的集成3D晶片提供了更好的途徑。

3D晶片將比最先進的矽設備大10倍，但它們的速度和能效預計將提高50倍。

這對於耗電量大的數據中心來說是一個潛在的好處。

DARPA計劃還支持對靈活晶片架構的研究。

參考來源：美國國防高級研究計劃局（DARPA）