長江存儲首台高端光刻機到貨：可造14nm 3D快閃記憶體

前不久有媒體報導，不久前我國最大的晶片代工廠商中芯國際已向荷蘭晶片設備製造商ASML訂購了一套EUV極紫外光刻設備，未來用於生產7nm工藝晶片，價值1.20億美元。

EUV極紫外光刻技術相對於傳統的光刻技術具有極大的優勢，是未來晶片技術發展的關鍵。

UV光刻設備可以發射比現有設備小十五分之一波長的光，使其能夠在晶片上蝕刻更精細的電路，被認為是未來10nm、7nm、5nm甚至3nm製程工藝晶片製造的核心技術。

包括英特爾、三星電子和台積電在內的所有全球頂級晶片巨頭都在購買這種工具，以確保更強大、更先進晶片的後期生產。

而根據最新消息，不僅是中芯國際，長江存儲也迎來了自己的第一台光刻機，意味著國產SSD固態硬碟再次取得重大突破。

據悉，這台光刻機同樣來自荷蘭ASML(把持著全球90％的光刻機市場)，193nm沉浸式設計，可生產14-20nm工藝的3D NAND快閃記憶體晶圓，售價達7200萬美元，約合人民幣4.6億元。

目前，光刻機已運抵武漢天河機場，設備相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續辦理完成後，即可運至長江存儲的工廠。

後續，長江存儲還會引入更多光刻機。

此前據官方消息，長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）是一家集晶片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業，公司成立於2016年7月。

2016年底，世界級的國家存儲器基地項目(一期)一號生產和動力廠房在武漢正式開工建設，而此後的生產線進度十分快速：

2017年9月實現提前封頂；

2017年11月長江存儲第一顆32層3D NAND晶片宣布研發成功，這是我國首顆擁有完全自主智慧財產權的32層3D NAND快閃記憶體晶片，耗資10億美元，由1000人團隊歷時2年自主研發，是我國在製造工藝上最接近國際高端水平的主流晶片。

2018年2月進行廠內潔凈室裝修、消防等系統安裝；

4月11日正式移入生產設備。

據悉，目前32層3D NAND晶片已經開始試產，不少產業鏈企業都拿到了樣片測試，預計今年第四季度量產。

或許用不了多久就能看到基於國產快閃記憶體的智慧型手機、SSD固態硬碟。

同時，據相關人士介紹，長江存儲武漢基地募集的800億金額已經全數到位，明年進入128Gb的3D NAND在64層技術的研發。

一旦研發成功，那國內自主存儲技術的腳步將更為堅定。