三星將量產最強64層3D快閃記憶體!
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目前三星是全球最大的NAND快閃記憶體晶片製造商,為了繼續擴大規模和市占率,他們將要加大相應的投入。
韓國媒體給出的報導稱,三星將從7月份開始運營位於韓國京畿道平澤市的新半導體工廠。
這是全球規模最大的晶片工廠,占地289萬平方米,而在這裡三星量產第四代3D NAND快閃記憶體晶片,該晶片垂直堆疊達到64層。
新工廠從2015年開始建造,耗資15.6萬億韓元(約合136億美元)。
平面和垂直NAND快閃記憶體晶片的總產能預計將達到每月45萬片晶圓,3D NAND快閃記憶體晶片將占據一半以上。
IHS Markit發布的報告顯示,三星去年在NAND快閃記憶體晶片市場的份額從2015年的32%增長到了36.1%。
三星第四代立體堆疊的V-NAND晶片可實現單獨晶粒(DIE)512Gb (64GB)的存儲容量,單獨晶粒數據傳輸速度可達100MB/S。
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