台聯電在台灣反訴美光

台灣聯華電子（UMC，以下簡稱台聯電）表示，就美光科技在中國的子公司提起專利侵權訴訟，這是與存儲晶片有關的日益激烈的爭議的一部分。

該反訴發生在美國美光向UMC提起訴訟之後近一個月。

隨著中國尋求建立國內半導體產業來抵消每年數十億美元的晶片進口額，美國和中國之間在內存領域的法律衝突就註定難以避免，中國的目標是要從三星、SK Hynix和美光主導的內存晶片業務市場上搶奪份額。

位於台灣新竹的台聯電（UMC）一直在擴大在中國這個全球最大，發展最快的半導體市場的業務。

除了在中國運營代工廠外，該公司還向當地的多家公司授權使用內存技術。

「台聯電發現，美光在中國大陸銷售的產品確實侵犯了公司的專利權，因此為追求專利侵權訴訟以獲得公正的判決，「台聯電上周五（1月12日）發表的媒體公告稱。

去年12月4日，美光根據「保護商業秘密法」向北加利福尼亞州聯邦法院提起民事訴訟，並針對聯電和中國福建晉華集成電路公司（JHICC）盜竊其商業秘密和其他不當行為。

晉華集成電路公司已從聯電轉讓技術，並在當地投資56.5億美元建一家工廠進行內存晶片生產。

據公司網站介紹，晉華集成電路公司是「十三五」重要製造業布局的一部分。

這一切都是在中國巨大的內存計劃背景下發生的。

大約一年前，中國在武漢市宣布了一個240億美元的存儲項目。

長江存儲（YRST）成為項目領導者，其目標是打造3D NAND晶圓製造廠。

該廠的背後投資者是清華紫光集團。

清華紫光在南京還有另外一個DRAM和3D NAND項目。

這兩個項目的總投資超過540億美元。

台聯電的反訴

台聯電錶示，正在福州市中級人民法院對美光半導體（西安）有限公司和美光半導體（上海）有限公司提起訴訟。

這起訴訟涉及涉嫌侵犯聯電在中國的專利權的三個方面，包括與DDR4、固態硬碟和顯卡所使用的內存有關應用。

在訴狀中，台聯電已經要求法院命令被告停止生產、加工、進口、銷售和打算銷售涉嫌侵權的產品，銷毀所有庫存和相關的模具和工具，並要求美光賠償聯電的總金額2.7億元人民幣（4180萬美元）的損失。

編譯：Mike Zhang