厲害了！中國芯再展神威，10納米凸塊加工即將實現量產！

近日，中芯長電和高通子公司宣布，中芯長電已開始進行10納米矽片超高密度凸塊加工認證。

這標誌著繼中芯長電經過一年大規模量產28納米和14納米矽片凸塊加工之後，工藝技術和能力的進一步提升。

詳情一起來了解！

不負眾望 進展神速

據悉，中芯長電由中芯國際攜手長電科技於2014年8月成立，組建僅僅3年。

其在成立之初就被國家寄予厚望，並獲得了高達300億的半導體產業基金支持，目標就是要實現我國自有技術產權的半導體工藝技術。

由於前期技術積累太少，中芯長電在技術方面明顯落後於台積電等國際一流企業。

不過，近年來，中芯長電通過代工晶圓之路，在中段凸塊加工領域取得突破性進展。

目前，其工藝技術水平達到了世界一流，同時在接觸電阻、超低介電常數材料缺陷控制等關鍵技術指標上，也達到業界領先水平。

不僅實現了業界一流的生產良率，也形成了獨特的競爭優勢。

如今，僅僅一年時間，其就要實現10納米矽片凸塊加工的量產化，速度之快簡直讓人驚詫。

而一旦通過認證，中芯長電就實現了10納米矽片凸塊在國內的加工量產，同時其也成為國內第一家進入10納米先進工藝技術節點產業鏈的半導體中段矽片製造公司。

10納米凸塊封裝技術有多牛

10納米工藝我們聽得不少，但這個10納米晶圓凸塊封裝技術又是什麼呢？

原來晶圓從晶圓廠中刻畫好電路後，變成了一個個裸片，不過這些裸片還需要進一步利用薄膜、光刻、電鍍及蝕刻工序在裸片上製作引腳，這種工藝技術就稱之為凸塊。

一般常見於BGA封裝IC上，此技術不僅可大幅縮小IC的體積，還具有密度大、低感應、低成本、散熱能力佳等優點。

事實上，在製程越來越小的情況下，凸塊的技術難度隨之大幅提升，技術成本也高得多，而封裝廠很多的技術和設備也必須進行升級或者更新，而加工成本也會隨之上升。

因此，這項技術實現的難點一方面是找凸塊的技術難度大幅提升，另一方面是在技術難度大幅提升的情況下，還要將成本控制到工業生產能夠接受的範圍。

而中芯長電就是從14納米凸塊生產過程中積累起經驗後，於今年下半年正式研發出10納米晶圓凸塊的封裝技術。

實現彎道超車 歷史意義重大

晶片中段加工是晶片製造業發展到一定階段的產物，它不僅有階段的成功，同時也有技術的突破，更重要的是有客戶的需要。

而此次10納米超高密度凸塊加工開始認證，表明中芯長電在中段凸塊加工領域取得突破性進展，並躋身全球先進半導體產業鏈企業之一。

同時，也標誌著中國集成電路企業有能力在中段矽片製造環節緊跟世界最先進的量產工藝技術節點水平。

事實上，國務院頒布的《國家集成電路產業發展推進綱要》（以下簡稱《綱要》）中明確指出，要實施重大科技項目和工程，實現重點跨越。

攻克高端通用晶片、集成電路裝備等方面的關鍵核心技術，形成若干戰略性技術和戰略性產品，培育新興產業。

而10納米凸塊封裝技術的國產化不僅填補了我國集成電路行業的的技術空白，也為我國產業發展、技術進步做出了貢獻。

其為我國集成電路產業的進一步快速發展、提前實現《綱要》提出的階段性目標，打下了良好的基礎，可謂歷史意義重大。

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