華虹半導體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式快閃記憶體工藝平台
華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」)今日宣布,最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式快閃記憶體(eFlash)...
華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」)今日宣布,最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式快閃記憶體(eFlash)...
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